Учебное пособие, СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2007. 96с.
ISBN 5-7629-0840-2 Приведены расчеты электронной структуры, диэлектрических, оптических и магнитных восприимчивостей, упругих постоянных и фононных частот, энергий когезии и замещения, реконструкции по-верхности кубических ковалентных и ионно-ковалентных полупроводников в рамках приближения сиязывающих орбиталей.
Предназначено для магистрантов и аспирантов кафедры микроэлектроники. Оглавление
Предисловие
Введение: зонная картина конденсированного состояния
Метод сильной связи
Двухатомная молекула
Однозонная модель
Двухзонная модель
Метод связывающих орбиталей
Определение параметров МСО
Расчет зонной структуры полупроводников с тетраэдрическими
связями
Оптические и диэлектрические свойства
Диэлектрическая восприимчивость
Линейный электрооптический коэффициент и статическая
диэлектрическая проницаемость
Упругие свойства
Полная энергия и объемный модуль сжатия
Нецентральное взаимодействие
Колебания решетки
Спектр колебаний
Поперечный и эффективный заряды
Пьезоэлектрический заряд
Электрон-фононное взаимодействие и деформационный потенциал
Когезия и энергия замещения, энтальпия растворения и теплота
смешивания
Энергия когезии
Энергия замещения
Энтальпия растворения и теплота смешивания
Реконструкция поверхности
Равновесная форма кристалла
Поверхность (111) гомеополярных полупроводников
Поверхности (110) и (100) гомеополярных полупроводников
Гетерополярные полупроводники
Магнитная восприимчивость полупроводников
Кулоновское взаимодействие электронов в полупроводниках
Заключение
Приложения:
Формализмы Шредингера, Гейзенберга и Дирака
Функции Грина в методе сильной связи
Таблицы атомных термов
Расстояния между ближайшими соседями в кубических
полупроводниковых кристаллах
Расширенный метод Хюккеля
Список рекомендуемой литературы
ISBN 5-7629-0840-2 Приведены расчеты электронной структуры, диэлектрических, оптических и магнитных восприимчивостей, упругих постоянных и фононных частот, энергий когезии и замещения, реконструкции по-верхности кубических ковалентных и ионно-ковалентных полупроводников в рамках приближения сиязывающих орбиталей.
Предназначено для магистрантов и аспирантов кафедры микроэлектроники. Оглавление
Предисловие
Введение: зонная картина конденсированного состояния
Метод сильной связи
Двухатомная молекула
Однозонная модель
Двухзонная модель
Метод связывающих орбиталей
Определение параметров МСО
Расчет зонной структуры полупроводников с тетраэдрическими
связями
Оптические и диэлектрические свойства
Диэлектрическая восприимчивость
Линейный электрооптический коэффициент и статическая
диэлектрическая проницаемость
Упругие свойства
Полная энергия и объемный модуль сжатия
Нецентральное взаимодействие
Колебания решетки
Спектр колебаний
Поперечный и эффективный заряды
Пьезоэлектрический заряд
Электрон-фононное взаимодействие и деформационный потенциал
Когезия и энергия замещения, энтальпия растворения и теплота
смешивания
Энергия когезии
Энергия замещения
Энтальпия растворения и теплота смешивания
Реконструкция поверхности
Равновесная форма кристалла
Поверхность (111) гомеополярных полупроводников
Поверхности (110) и (100) гомеополярных полупроводников
Гетерополярные полупроводники
Магнитная восприимчивость полупроводников
Кулоновское взаимодействие электронов в полупроводниках
Заключение
Приложения:
Формализмы Шредингера, Гейзенберга и Дирака
Функции Грина в методе сильной связи
Таблицы атомных термов
Расстояния между ближайшими соседями в кубических
полупроводниковых кристаллах
Расширенный метод Хюккеля
Список рекомендуемой литературы