Великий Новгород, НовГУ им. Ярослава Мудрого; преп. Петров М.Н.;
отделение электроники; специальность: микроэлектроника и
твердотельная электроника; предмет: английский язык в СП; 2011; 31
с.
Текст на английском языке с переводом. 19000 знаков. В тексте подробно рассказывается о функционировании диодов с p-n переходом и их основных характеристиках, кратко описан принцип действия диодов с барьером Шотки и SPICE модели данных устройств. Содержание: Introduction
Zero Bias (Thermal Equilibrium)
Forward Bias
Short-Base n+–p Diode
Long-Base n+–p Diode
Reverse Bias
Reverse Leakage
Reverse Breakdown
Switching Transients
Charge Control Model
Tu-Off Transient
Tu-On Transient
Metal–Semiconductor Diode
SPICE Models Первоисточник:
J. E. Ayers - Digital Integrated Circuits. Analysis and Design. CRC Press, 2004, 61-79 p.
Текст на английском языке с переводом. 19000 знаков. В тексте подробно рассказывается о функционировании диодов с p-n переходом и их основных характеристиках, кратко описан принцип действия диодов с барьером Шотки и SPICE модели данных устройств. Содержание: Introduction
Zero Bias (Thermal Equilibrium)
Forward Bias
Short-Base n+–p Diode
Long-Base n+–p Diode
Reverse Bias
Reverse Leakage
Reverse Breakdown
Switching Transients
Charge Control Model
Tu-Off Transient
Tu-On Transient
Metal–Semiconductor Diode
SPICE Models Первоисточник:
J. E. Ayers - Digital Integrated Circuits. Analysis and Design. CRC Press, 2004, 61-79 p.