Новосибирск: Новосибирский гос. технич. ун-т, 2003. — 22 с.
Работа подготовлена на кафедре КТРС В работе даны варианты расчетно-графических заданий по дисциплинам «Физические основы микроэлектроники» и «Физические основы электроники». Рассмотрены примеры получения аппроксимационных зависимостей основных физических параметров полупроводников, таких как подвижности электронов и дырок при произвольных значениях температуры и концентрации примеси на основании экспериментальных результатов и известного вида зависимостей.
Результаты расчетов, выполненных в среде MathCAD, сравниваются с литературными данными.
Работа подготовлена на кафедре КТРС В работе даны варианты расчетно-графических заданий по дисциплинам «Физические основы микроэлектроники» и «Физические основы электроники». Рассмотрены примеры получения аппроксимационных зависимостей основных физических параметров полупроводников, таких как подвижности электронов и дырок при произвольных значениях температуры и концентрации примеси на основании экспериментальных результатов и известного вида зависимостей.
Результаты расчетов, выполненных в среде MathCAD, сравниваются с литературными данными.