Учебно-методическое пособие. — Нижний Новгород: Нижегородский
госуниверситет, 2012. — 84 с.
В пособии рассмотрены свойства полупроводниковых биполярных
транзисторов. Показаны основные схемы включения транзисторов,
описаны основные характеристики. Также рассмотрены приборы на
основе биполярных транзисторов – усилители низкой частоты. Описаны
физические принципы работы усилителей, детально рассмотрена схема
усилителя с общим эмиттером. Даны рекомендации по выбору рабочей
точки и расчёту параметров схемы усилителя с общим эмиттером. Даны
методические рекомендации по выполнению экспериментальных заданий
пособия с использованием платы NI ELVIS II.
Электронное учебно-методическое пособие предназначено для студентов ННГУ, обучающихся по направлению подготовки 210100.62 «Электроника и наноэлектроника», изучающих курс «Теоретические основы электротехники». Введение. Теоретические основы работы биполярного транзистора..
Полупроводниковый p-n переход.
Биполярный транзистор.
Общие сведения.
Статические характеристики биполярного транзистора.
Моделирование статические характеристики биполярного транзистора.
Транзистор как линейный четырёхполюсник.
Экспериментальная часть.
Исследование статических характеристик транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером.
Исследование выходных характеристик транзистора.
Определение параметров транзистора.
Контрольные вопросы. Расчёт и исследование усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе, включённом по схеме с общим эмиттером.
Схемы усилителя.
Схема с общей базой.
Схемы с общим эмиттером и общим коллектором.
Схема усилителя низкой частоты с общим эмиттером.
Частотные характеристики транзистора.
Экспериментальная часть.
Расчёт усилителя с общим эмиттером.
Моделирование схемы усилителя низкой частоты.
Монтаж схемы усилителя.
Применение генератора импульсов и осциллографа.
Исследование частотной зависимости коэффициента усиления.
Контрольные вопросы. Список цитированной литературы.
Электронное учебно-методическое пособие предназначено для студентов ННГУ, обучающихся по направлению подготовки 210100.62 «Электроника и наноэлектроника», изучающих курс «Теоретические основы электротехники». Введение. Теоретические основы работы биполярного транзистора..
Полупроводниковый p-n переход.
Биполярный транзистор.
Общие сведения.
Статические характеристики биполярного транзистора.
Моделирование статические характеристики биполярного транзистора.
Транзистор как линейный четырёхполюсник.
Экспериментальная часть.
Исследование статических характеристик транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером.
Исследование выходных характеристик транзистора.
Определение параметров транзистора.
Контрольные вопросы. Расчёт и исследование усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе, включённом по схеме с общим эмиттером.
Схемы усилителя.
Схема с общей базой.
Схемы с общим эмиттером и общим коллектором.
Схема усилителя низкой частоты с общим эмиттером.
Частотные характеристики транзистора.
Экспериментальная часть.
Расчёт усилителя с общим эмиттером.
Моделирование схемы усилителя низкой частоты.
Монтаж схемы усилителя.
Применение генератора импульсов и осциллографа.
Исследование частотной зависимости коэффициента усиления.
Контрольные вопросы. Список цитированной литературы.