М.: Пульсар. — 124 с.
«Электронная техника. Полупроводниковые приборы» – На протяжении
долгих лет с момента основания журнала на страницах издания
публикуются материалы по разработке и производству
полупроводниковых СВЧ приборов, интегральных схем, приборов силовой
и фотоэлектроники, твердотельных модулей РЭА, физическому и
технологическому моделированию полупроводниковых приборов,
технологии создания, методам измерения и испытаний, экономике и
организации производства изделий твердотельной электроники.
Миннебаев В.М., Герасимов А.О., Мочалов М.Н. Корректировка
амплитудно-частотной характеристики малошумящего усилителя
S-диапазона в условиях серийного производства.
Елесин В.В., Назарова Г.Н. Оптимизация параметров СВЧ переключателей для монолитных фазовращателей и аттенюаторов.
Сергеев В.А., Ходаков А.М. Тепловая модель биполярной транзисторной структуры с неоднородностью в области контакта кристалла с теплоотводом.
Ткачёв А.Ю., Петров Б.К., Асессоров В.В., Кожевников В.А., Дикарев В.И., Цоцорин А.Н. Моделирование Super Junction LDMOS транзисторных структур.
Тришенков М.А., Таубкин И.И., Филачёв А.М. Твердотельная фотоэлектроника: сегодня и завтра.
Белкин М.Е., Лопарев А.В. Компьютерное проектирование монолитной интегральной схемы сверхвысокочастотного генератора на гетероструктурных полевых транзисторах.
Завьялов И.А. Оптимизация производительности САПР при помощи виртуализации.
Аврасин Э.Т., Вологдин Э.Н., Гантман И.Я., Сидоров Д.В., Смирнов Д.С. Исследование пространственного распределения концентрации основных носителей в кремнии, облучённом частицами радионуклидных источников.
Сысоев П.А., Болдырев М.А., Лопаткин К.С. Метод оценки реализуемости технических требований к оптико-электронным системам ночного видения на основе электронно-оптических преобразователей пятого поколения.
Васильев В.Ю. Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Основные тенденции развития методов.
Жукова Н.С., Крымко М.М., Ледовских А.П., Максимов А.Н., Сопов О.В. Анализ способов снижения времени восстановления обратного сопротивления мощных быстродействующих диодов.
Масальский Н.В. Низковольтные характеристики логических элементов на полностью обеднённых КНИ КМОП нанотранзисторах в подпороговой области.
Белкин М. Е., Белкин Л. М. Особенности построения резистивных смесителей диапазона крайне высоких частот.
Шубин В. В. Новая методика сравнения быстродействия параллельных сумматоров с последовательным переносом.
Вальд-Перлов В.М., Вейц В.В., Иващенко Н.Г. Мощный быстродействующий ограничительный диод для защиты приёмных каналов ППМ АФАР.
Информация об опубликованных статьях
Елесин В.В., Назарова Г.Н. Оптимизация параметров СВЧ переключателей для монолитных фазовращателей и аттенюаторов.
Сергеев В.А., Ходаков А.М. Тепловая модель биполярной транзисторной структуры с неоднородностью в области контакта кристалла с теплоотводом.
Ткачёв А.Ю., Петров Б.К., Асессоров В.В., Кожевников В.А., Дикарев В.И., Цоцорин А.Н. Моделирование Super Junction LDMOS транзисторных структур.
Тришенков М.А., Таубкин И.И., Филачёв А.М. Твердотельная фотоэлектроника: сегодня и завтра.
Белкин М.Е., Лопарев А.В. Компьютерное проектирование монолитной интегральной схемы сверхвысокочастотного генератора на гетероструктурных полевых транзисторах.
Завьялов И.А. Оптимизация производительности САПР при помощи виртуализации.
Аврасин Э.Т., Вологдин Э.Н., Гантман И.Я., Сидоров Д.В., Смирнов Д.С. Исследование пространственного распределения концентрации основных носителей в кремнии, облучённом частицами радионуклидных источников.
Сысоев П.А., Болдырев М.А., Лопаткин К.С. Метод оценки реализуемости технических требований к оптико-электронным системам ночного видения на основе электронно-оптических преобразователей пятого поколения.
Васильев В.Ю. Применение методов химического осаждения тонких слоёв из газовой фазы для микросхем с технологическими нормами 0,35-0,18 мкм. Основные тенденции развития методов.
Жукова Н.С., Крымко М.М., Ледовских А.П., Максимов А.Н., Сопов О.В. Анализ способов снижения времени восстановления обратного сопротивления мощных быстродействующих диодов.
Масальский Н.В. Низковольтные характеристики логических элементов на полностью обеднённых КНИ КМОП нанотранзисторах в подпороговой области.
Белкин М. Е., Белкин Л. М. Особенности построения резистивных смесителей диапазона крайне высоких частот.
Шубин В. В. Новая методика сравнения быстродействия параллельных сумматоров с последовательным переносом.
Вальд-Перлов В.М., Вейц В.В., Иващенко Н.Г. Мощный быстродействующий ограничительный диод для защиты приёмных каналов ППМ АФАР.
Информация об опубликованных статьях