Методические указания к лабораторным работам. — 2-е издание,
исправленное и дополненное. — Под ред. С.М. Ершова. — СПб:
Балтийский государственный технический университет, 2004. — 27 с.
Содержат описания 10 лабораторных работ по одноименному курсу,
общие требования к их выполнению, необходимые справочные данные и
список рекомендуемой литературы.
Предназначены для студентов всех специальностей дневного и вечернего отделений. Исследование полупроводниковых диодов.
Исследование полупроводниковых стабилитронов.
Статические характеристики и параметры биполярного транзистора в схеме с общей базой (ОБ).
Статические характеристики и параметры биполярного транзистора в схеме с общей эмиттером (ОЭ).
Усилительный и ключевой режимы биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером (ОЭ).
Статические характеристики и параметры полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.
Усилительный режим полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.
Исследование светоизлучающих полупроводниковых приборов и оптоэлектронных пар.
Исследование операционного усилителя.
Исследование интегральных микросхем.
Библиографический список.
Приложение. Основные паспортные данные исследуемых приборов.
Предназначены для студентов всех специальностей дневного и вечернего отделений. Исследование полупроводниковых диодов.
Исследование полупроводниковых стабилитронов.
Статические характеристики и параметры биполярного транзистора в схеме с общей базой (ОБ).
Статические характеристики и параметры биполярного транзистора в схеме с общей эмиттером (ОЭ).
Усилительный и ключевой режимы биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером (ОЭ).
Статические характеристики и параметры полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.
Усилительный режим полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.
Исследование светоизлучающих полупроводниковых приборов и оптоэлектронных пар.
Исследование операционного усилителя.
Исследование интегральных микросхем.
Библиографический список.
Приложение. Основные паспортные данные исследуемых приборов.