М.: «Советское радио», 1960. — 431 с.
Монография посвящена рассмотрению основных физических процессов и
связанных с ними свойств транзисторов. Кратко рассматриваются
вопросы электропроводности полупроводников, технология производства
полупроводниковых материалов — германия и кремния — и измерение
основных параметров материала, определяющих его использование для
изготовления полупроводниковых приборов. Подробно излагаются
контактные явления в полупроводниках, принципы работы
радиотехнических полупроводниковых приборов (главным образом,
транзисторов) и связь основных параметров прибора с физическими
величинами, определяющими электронные процессы в приборе.
Рассматриваются эквивалентные схемы транзисторов на низких и
высоких частотах, оценивается частотная зависимость параметров
транзисторов, описываются методы измерения параметров на низких и
высоких частотах. Дается описание технологии изготовления
транзисторов различных типов, приводятся параметры приборов,
выпускаемых в Советском Союзе и за рубежом.
Монография рассчитана на студентов старших курсов радиотехнических факультетов высших учебных заведений и на инженеров, работающих в области разработки схем с использованием транзисторов.
Монография рассчитана на студентов старших курсов радиотехнических факультетов высших учебных заведений и на инженеров, работающих в области разработки схем с использованием транзисторов.