Омский государственный университет путей сообщения, Омск, 2012. -
13 с.
Представлена контрольная работа с подробным решением.
Задание:
Определить прямой ток, сопротивление постоянному току и сопротивление переменному току кремниевого диода. Обратный ток диода Iо= 20 мкА, прямое напряжение 0,9 В, температура T = 300° К По исходным данным, приведенным в табл. 2.1, постройте схему включения биполярного транзистора в активном режиме его работы, постройте энергетическую и потенциальную диаграммы БТ в этом режиме.
Определите h-параметры в заданной рабочей точке по статическим входным и выходным вольт-амперным характеристикам БТ в схеме включения с общим эмиттером (ОЭ). ВАХ приведены в [6] или другой справочной литературе.
Определите h-параметры для заданной схемы включения БТ, используя пересчетные формулы.
Приведите эквивалентную схему замещения БТ через h-параметры для заданной схемы включения транзистора.
Определите физические параметры исследуемого транзистора по пересчетным формулам и постройте эквивалентную схему замещения его через физические параметры для заданной схемы включения БТ. Определите статические параметры полевого транзистора (ПТ) в выбранной рабочей точке стоковых характеристик. Полученные значения сравните с данными, указанными в справочнике. Приведите структуру и схему включения исследуемого ПТ.
Определить прямой ток, сопротивление постоянному току и сопротивление переменному току кремниевого диода. Обратный ток диода Iо= 20 мкА, прямое напряжение 0,9 В, температура T = 300° К По исходным данным, приведенным в табл. 2.1, постройте схему включения биполярного транзистора в активном режиме его работы, постройте энергетическую и потенциальную диаграммы БТ в этом режиме.
Определите h-параметры в заданной рабочей точке по статическим входным и выходным вольт-амперным характеристикам БТ в схеме включения с общим эмиттером (ОЭ). ВАХ приведены в [6] или другой справочной литературе.
Определите h-параметры для заданной схемы включения БТ, используя пересчетные формулы.
Приведите эквивалентную схему замещения БТ через h-параметры для заданной схемы включения транзистора.
Определите физические параметры исследуемого транзистора по пересчетным формулам и постройте эквивалентную схему замещения его через физические параметры для заданной схемы включения БТ. Определите статические параметры полевого транзистора (ПТ) в выбранной рабочей точке стоковых характеристик. Полученные значения сравните с данными, указанными в справочнике. Приведите структуру и схему включения исследуемого ПТ.