Статья
  • формат doc
  • размер 2,15 МБ
  • добавлен 04 апреля 2013 г.
Физика полупроводниковых приборов Ч. II
Лектор Колосницын Б.С. — Мн.: БГУИР, 2012. — 165с.
В 2006 году в электронную библиотеку университета автором был сдан электронный учебно-методический комплекс по дисциплине «Физика полупроводниковых приборов ч. I», который анализирует физику работы активных элементов интегральных схем. Предлагаемый вашему вниманию учебно-методический комплекс посвящен физике работы мощных и СВЧ полупроводниковых приборов.
Первый раздел конспекта лекций учебного комплекса знакомит студентов с проблемами, возникающими при работе МОПТ с малыми размерами, и путями их решения. Описывает конструкцию и физику работы мощных и СВЧ МОПТ, а также особенности работы полевых транзисторов с затвором Шоттки.
Среди многообразных направлений современной полупроводниковой электроники важное место занимает разработка и производство кремниевых биполярных транзисторов, предназначенных для работы в широком диапазоне частот (до нескольких гигогерц) при высоких уровнях мощности (десятки и сотни ватт). Физике работы этих приборов и проблемам, возникающим при их разработке, посвящен второй раздел конспекта лекций учебного комплекса.
Третий и четвертый разделы конспекта лекций описывают физику работы наиболее распространенных типов СВЧ-диодов: туннельных диодов, лавинно-пролетных и инжекционно-пролетных диодов и диодов Шоттки, а также физику работы и конструкции тиристоров.