Глазов В.М., Земсков В.С. Физико-химические основы легирования полупроводников

М.: Наука, 1967. — 371 с. В монографии обобщены результаты исследования принципов и процессов легирования германия и кремния с позиций физической химии и физики твердого тела.
В первой главе последовательно и полно изложены принципы легирования полупроводников.
Во второй главе собран и проанализирован практически весь имеющийся материал по двойным системам на основе германия и кремния. Графический материал в виде диаграммы состояния с микрообластями твердых растворов является справочным материалом.
Третья глава посвящена важному вопросу взаимодействия компонентов в полупроводниковых системах. Собраны практически все исследованные тройные диаграммы состояния для германия и кремния типа полупроводник — акцептор — донор. Вопросы взаимодействия рассматриваются с позиций физико-химического анализа.
В последней, четвертой, главе, посвященной методам легирования и получению материала с заданными свойствами, наглядно показана роль диаграммы состояния в определении методов и условий легирования при кристаллизации, диффузии и термообработке.
По полноте охвата литературы и всех имеющихся данных книга представляет не только научный интерес, но и может служить ценным справочником. Монография явится весьма полезным руководством для лиц, работающих в области полупроводникового материаловедения и приборостроения, а также для широкого круга специалистов по физике и химии полупроводников.
Книга может быть использована в качестве учебного пособия студентами и аспирантами, специализирующимися в области металлургии, физики и химии полупроводников. Предисловие.
Физико-химические основы легирования полупроводников.
Особенности характера химической связи и кристаллической структуры кремния и германия
Энергетические зоны и характер температурной зависимости электрических свойств нелегированного полупроводника.
Состояние атомов легирующих элементов в германии и кремнии и общие принципы легирования полупроводников.
Химические эффекты, обусловленные ионизацией легирующих элементов в полупроводниках.
Сложное легирование. Компенсация. Взаимодействие между легирующими элементами.
Кулоновское взаимодействие при высоких температурах в полупроводнике, легированном элементами донорного и акцепторного типа, и образование заряженных ионных комплексов.
Кулоновское взаимодействие при низких температурах между ионами легирующих элементов в твердых растворах на основе полупроводников и образование электронейтральных ионных комплексов.
Простое легирование и взаимодействие германия и кремния с легирующими элементами.
Сложное легирование и взаимодействие между легирующими элементами в германии кремнии.
Методы легирования и получения материала с заданными свойствами.
Заключение.
Литература.
Предметный указатель.