Дисертация
  • формат pdf
  • размер 2,87 МБ
  • добавлен 17 апреля 2015 г.
Горбатюк А.В. Динамика и устойчивость сильноточных инжекционных систем
Диссертация на соискание ученой степени доктора физ-мат. наук. С-Пб. Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 2002. — 362 с.
Специальность 01.04.10 – Физика полупроводников.
Цель работы: всестороннее изучение проблем динамики и устойчивости сверхмощных полупроводниковых переключателей микросекундного диапазона, выработка новых адекватных физических представлений, развитие аналитических методов и теории нелинейных механизмов пререключения в экстремальных физических условиях с учетом открытости систем и существования неравновесных флуктуаций, а также направленный поиск эффективных приложений.
Сильноточные инжекционные полупроводниковые системы.
Полупроводниковая электроника на пути освоения больших мощностей.
Двойная инжекция в экстремальных условиях.
О фундаментальном теоретическом подходе.
Задачи диссертации как научно-исследовательская программа.
Качественное многообразие режимов переключения тиристорных структур.
Модели тиристорных структур с распределенным управлением.
Приближение однослойного S-триггера.
О динамической локализации тока.
Обсуждение результатов.
Эффекты распределенной инжекции при больших токах и напряжениях.
Двойная инжекция, контролируемая граничными условиями.
Инжекционная система "домен поля - активная граница".
Неустойчивости инжекции в рр~рп+ - образце.
Тиристоры с распределенным управлением. Прохождение порога включения.
Импульсное вхождение в неустойчивую область токов.
Запас устойчивости при реакции на скачок напряжения.
Анализ результатов.
Реверсивно-включаемые динисторы переключатели гигаваттной мощности.
Управляющий плазменный слой в канале инжекции.
Теория механизмов включения РВД.
Физика и переходные характеристики РУТ.
Анализ результатов, эксперименты и выводы.
Импульсное перекрытие инжекционных каналов большой площади.
Условие квазистатического выключения.
Нестационарная модель мощного запираемого тиристора.
Поперечно-неустойчивые фазы процесса запирания.
Реверсивно-включаемый динистор с подавленной регенерацией.
Эффекты разогрева канала инжекции полупроводниковых структур при переключении гигаваттных импульсов.
Внешние проявления тепловой перегрузки.
Рассредоточенный перегрев и тепловой пробой при дрейфовой инжекции.
Формирование зоны опережающего разогрева.
Зарождение термогенерационной волны.
Критерии и наблюдаемые признаки перегрузки.
Эффект пространственно-периодического разрушения тиристорной структуры.
Пространственно-периодические локализации тока.
Неодномерный механизм формирования активной зоны.
Неустойчивость тока в поперечно-сжимаемом канале по механизму Тьюринга.
Обсуждение результатов.