М.: Московский государственный институт электроники и математики,
2009. - 24 с.
Кратко изложены возможности конструирования различных профилей
распределения примеси методом имплантационного полиэнергетического
легирования. Представлено описание программного обеспечения для
расчета параметров процесса ионной имплантации в полупроводники
различных примесей. Описана методика выполнения лабораторной
работы.
Григорьев Ф.И., Чернов А.А. Конструирование заданных профилей распределения примеси в полупроводниках методом ионной имплантации
- формат pdf
- размер 1,21 МБ
