√ринфилд ƒж. “ранзисторы и Ћинейные »—. –уководство по јнализу и –асчЄту

√ринфилд ƒж. “ранзисторы и Ћинейные »—. –уководство по јнализу и –асчЄту
  • разное
  • djvu
  • 4.35 ћЅ
  • добавлен 12.12.2010
ћ., ћир, 1992 г. 565 стр. ¬ книге специалиста из —Ўј излагаютс€ вопросы анализа и расчета транзисторных и линейных интегральных схем. »зложение ведетс€ последовательно - от физических основ полупроводниковой электроники и принципов действи€ транзистора до расчета многокаскадных усилителей, усилителей мощности, источников питани€, резонансных и операционных усилителей. ћатериал изложен чрезвычайно доступно и нагл€дно. ¬ приложени€х привод€тс€ соотношени€ дл€ расчета параметров и характеристик схем, а также программа на Ѕейсике дл€ вычислени€ коэффициента усилени€ каскада на полевом транзисторе. ƒл€ студентов и преподавателей вузов по специальност€м ЂЁлектронные приборыї и Ђћикроэлектроникаї

—одержание:
ѕредисловие переводчика.
ѕредисловие.
¬ведение.
√лава. ѕолупроводники и диоды.
÷ель обучени€.
¬опросы дл€ самопроверки.
ѕроводники и диэлектрики.
ѕолупроводники.
Ёлектронно-дырочный переход (pn-переход).
’арактеристики диода.
ќграничители и выпр€мители.
—хемы фиксации уровн€.
ѕолупроводниковые стабилитроны.
ƒиоды Ўотки.
‘отодиоды.
ѕрименение светодиодов и фотодетекторов.
—ветодиоды.
ƒругие типы специальных диодов.
«аключение.
—ловарь специальных терминов.
Ћитература.
«адачи.
√лава. Ѕипол€рный плоскостный транзистор.
÷ель обучени€.
¬опросы дл€ самопроверки.
¬ведение.
–абота транзистора.
¬ключение транзистора по схеме с общей базой (ќЅ).
—хема с общим эмиттером (ќЁ).
’арактериографы.
Ћини€ нагрузки.
ќбласть отсечки.
“ранзистор в режиме насыщени€.
“ехнические характеристики транзисторов, предоставл€емые изготовител€ми.
«аключение.
—ловарь специальных терминов.
Ћитература.
«адачи.
√лава. —хемы смещени€ бипол€рных плоскостных транзисторов.
÷ель обучени€.
¬опросы дл€ самопроверки.
¬ведение.
—хема с фиксированным напр€жением смещени€.
—хема смещени€ с резистором в цепи эмиттера.
ѕостроение линии нагрузки дл€ схемы с автоматическим смещением.
—мещение в усилителе с ќЅ.
—мещение в схеме эмиттерного повторител€.
¬ли€ние схем смещени€ на стабильность работы усилител€.
«аключение.
—ловарь специальных терминов.
Ћитература.
«адачи.
√лава. јнализ усилителей в режиме малого сигнала и коэффициент усилени€ по переменному току.
÷ель обучени€.
¬опросы дл€ самопроверки.
¬ведение.
√ибридные параметры транзистора.
 оэффициент усилени€ усилител€ с ќЁ.
”силитель с общей базой.
Ёмиттерный повторитель.
«аключение.
—ловарь специальных терминов.
Ћитература.
«адачи.
√лава. ѕолевые транзисторы.
÷ель обучени€.
¬опросы дл€ самопроверки.
¬ведение.
—труктура полевого транзистора с управл€ющим pn-переходом.
—мещение полевого транзистора с управл€ющим pn-переходом.
јнализ полевого транзистора с управл€ющим pn-переходом в режиме малого сигнала.
»стоковый повторитель.
ћќѕ-транзисторы.
ћќѕ-структура с V-образной канавкой (Vћќѕ-транзистор).
«аключение.
—ловарь специальных терминов.
Ћитература.
«адачи.
√лава. ћноготранзисторные схемы.
÷ель обучени€.
¬опросы дл€ самопроверки.
¬ведение.
—хемы с RC-св€зью.
”силители с непосредственной св€зью.
ѕары ƒарлингтона.
»сточники неизмен€ющегос€ посто€нного тока.
 омпараторы.
ƒифференциальный усилитель.
 аскодный усилитель.
«аключение.
—ловарь специальных терминов.
Ћитература.
«адачи.
√лава. јмплитудно-частотные характеристики усилителей.
÷ель обучени€.
¬опросы дл€ самопроверки.
¬ли€ние емкостей.
јмплитудно-частотна€ характеристика усилител€ на бипол€рном транзисторе в области низких частот.
јмплитудно-частотна€ характеристика усилител€ на бипол€рном транзисторе в области высоких частот.
–абота бипол€рного транзистора в области высоких частот.
јмплитудно-частотна€ характеристика полевого транзистора с управл€ющим pn-переходом.
ј„’ многокаскадного усилител€.
ѕереходна€ характеристика усилителей.
„астотна€ коррекци€ пробника осциллографа.
ќграничени€ ј„’ осциллографов.
«аключение.
—ловарь специальных терминов.
Ћитература.
«адачи.
√лава. ќбратна€ св€зь в усилител€х.
÷ель обучени€.
¬опросы дл€ самопроверки.
ќсновные пон€ти€ обратной св€зи.
–еальные схемы с обратной св€зью по напр€жению.
ќбратна€ св€зь по току.
Ќовое в анализе обратной св€зи.
ќбратна€ св€зь и ј„’.
Ѕолее строгий анализ схем с обратной св€зью.
«аключение.
—ловарь специальных терминов.
Ћитература.
«адачи.
√лава. ”силители мощности.
÷ель обучени€.
¬опросы дл€ самопроверки.
¬ведение.
–ассеиваема€ мощность и мощные транзисторы.
“епловое сопротивление и радиаторы.
”силители мощности, работающие в режиме класса A.
”силители класса B.
»скажени€ и смещение в усилител€х класса B.
”силители на комплементарных транзисторах.
»нтегральные усилители мощности.
«аключение.
—ловарь специальных терминов.
Ћитература.
«адачи.
√лава. »сточники питани€.
÷ель обучени€.
¬опросы дл€ самопроверки.
¬ведение.
¬ыпр€мители.
≈мкостный фильтр.
ƒругие типы фильтров и удвоитель напр€жени€.
—табилизаторы напр€жени€.
“ранзисторные стабилизаторы напр€жени€.
—табилизаторы напр€жени€ на »—.
»мпульсный стабилизатор.
«аключение.
—ловарь специальных терминов.
Ћитература.
«адачи.
√лава. –езонансные усилители и генераторы.
÷ель обучени€.
¬опросы дл€ самопроверки.
–езонансные усилители.
”силители с большей избирательностью.
Ќекоторые сведени€ из теории генераторов.
¬ысокочастотные генераторы синусоидальных колебаний.
√енераторы с фазосдвигающей цепью обратной св€зи.
÷ифровые генераторы.
«аключение.
—ловарь специальных терминов.
Ћитература.
«адачи.
√лава. ќперационные усилители.
÷ель обучени€.
¬опросы дл€ самопроверки.
¬ведение.
’арактеристики ќ”.
»нтеграторы и дифференциаторы.
ѕрименение ќ”.
«аключение.
—ловарь специальных терминов.
Ћитература.
«адачи.
ѕриложение ј. ’арактеристики транзисторов 2N3903 и 2N3904.
ѕриложение ¬. ¬ывод точных уравнений гибридных параметров транзистора.
ѕриложение —. ѕрограмма дл€ вычислени€ коэффициента усилени€ полевого транзистора с управл€ющим pn-переходом при емкостной св€зи с нагрузкой.
ѕриложение D. ¬ывод уравнений дл€ дифференциального усилител€.
ѕриложение ≈. ј„’ усилител€ с разв€зывающим конденсатором в цепи эмиттера.
ѕриложение F. ¬ывод уравнений дл€ схемы с обратной св€зью ѕриложение G. ѕоследовательна€ и параллельна€ эквивалентные схемы катушки индуктивности.
ѕриложение Ќ. ¬ывод уравнений дл€ параллельного резонансного контура.
ќтветы на некоторые задачи.
ѕредметно-именной указатель.

—мотрите также


–еферат - —труктуры интегральных схем

–еферат - —труктуры интегральных схем

  • рефераты
  • doc
  • 498  Ѕ
  • добавлен 15.11.2010
¬ведение.
 лассификаци€ интегральных микросхем.
—труктуры интегральных схем.
 онструкции активных элементов полупроводниковых микросхем.
“ранзисторы типа nЦpЦn.
“ранзисторы типа pЦnЦp.
ћногоэмиттерные транзисторы (ћЁ“).
ћногоколлекторные транзисторы (ћ “).
—оставные транзисторы.
»нтегральные д...
“ихомиров ¬.ј.  урс лекции по ќсновам информационной электроники

“ихомиров ¬.ј.  урс лекции по ќсновам информационной электроники

  • разное
  • doc
  • 63.69  Ѕ
  • добавлен 16.01.2010
Ќижний Ќовгород, 2004, Ќ√“”. 62 стр.

—одержание.
¬ведение.
ѕолупроводниковые диоды.
Ѕипол€рные транзисторы.
ѕолевые транзисторы.
“иристоры.
»нтегральные микросхемы.
÷ифровые интегральные микросхемы.
Ёлементы оптоэлектроники.
ѕрактические зан€ти€.
Ѕорисов ¬.Ћ. Ћекции по электронным приборам

Ѕорисов ¬.Ћ. Ћекции по электронным приборам

  • разное
  • djvu
  • 9.61 ћЅ
  • добавлен 03.12.2010
–адиофизический факультет —ѕб√ѕ”, 2 курс, 3 семестр. 178 стр.
ѕолупроводниковые приборы.
‘изические основы электронных приборов.
Ёлектронно-дырочный переход.
ѕолупроводниковые диоды
“ранзисторы.
Ѕипол€рный транзистор
ѕолевые транзисторы.
ѕриборы с отрицательным дифференциальным сопротивлени...
—ветцов ¬.»., ’олодков ».¬. ‘изическа€ Ёлектроника и Ёлектронные ѕриборы

—ветцов ¬.»., ’олодков ».¬. ‘изическа€ Ёлектроника и Ёлектронные ѕриборы

  • разное
  • pdf
  • 11.07 ћЅ
  • добавлен 07.07.2010
ћ., »√’“” им. ћенделеева, 2008 г. , 500 стр. ¬ монографии рассмотрены практически все разделы современной электроники: физические основы электроники, микроэлектроники и наноэлектроники, вакуумна€ и эмиссионна€ электроника (автоэмиссионные катоды, фотокатоды, ‘Ё”, Ёќѕ, ЁЋ“ и т. д. ), газоразр€дна€ электроника (клистроны, Ћќ¬, инд...
–еферат - Ѕипол€рные транзисторы

–еферат - Ѕипол€рные транзисторы

  • рефераты
  • rtf,doc,docx
  • 416.79  Ѕ
  • добавлен 30.03.2009
—одержание.
¬ведение.
Ёлектронно-дырочный p- n- переход.
 лассификаци€ бипол€рных транзисторов.
”стройство и принцип действи€ бипол€рного транзистора.
—хемы включени€ бипол€рных транзисторов.
ѕолевые транзисторы.
ѕринцип действи€ и устройство полевого транзистора.
—хемы включени€ полевых транзисто...
Ѕессарабов Ѕ.‘., ‘едюк ¬.ƒ., ‘едюк ƒ.¬. ƒиоды, тиристоры, транзисторы и микросхемы широкого применени€. —правочник

Ѕессарабов Ѕ.‘., ‘едюк ¬.ƒ., ‘едюк ƒ.¬. ƒиоды, тиристоры, транзисторы и микросхемы широкого применени€. —правочник

  • разное
  • djvu
  • 14.38 ћЅ
  • добавлен 24.10.2011
Ѕессарабов Ѕ.‘., ‘едюк ¬.ƒ., ‘едюк ƒ.¬.
ƒиоды, тиристоры, транзисторы и микросхемы широкого применени€. —правочник. ¬оронеж: »ѕ‘ "¬оронеж", 1994г. ISBN5-89981-030-0
¬ справочнике приведены электрические параметры, предельные эксплуатационные данные, габаритные размеры и другие характеристики отечественных серийно выпуска...
Ёлектроника и микроэлектроника

Ёлектроника и микроэлектроника

  • разное
  • pdf
  • 87.71 ћЅ
  • добавлен 26.02.2011
”чебное пособие дл€ вузов. 2-е изд., исправленное. „ебоксары: »зд-во „уваш, ун-та, 2001. 378 с.

–ассматриваютс€ структура, энергетические зоны и электропроводность полупроводников, технологические процессы выращивани€ монокристаллов кремни€, теори€ p-n-перехода и методы его изготовлени€, основные типы полупроводниковых ...
–жевкин. ѕособие дл€ студентов по полупроводниковым приборам

–жевкин. ѕособие дл€ студентов по полупроводниковым приборам

  • разное
  • doc
  • 3.15 ћЅ
  • добавлен 03.01.2009
ќписан полный курс по ѕѕ. ¬се описано подробно и пон€тно. ¬ключает главы: ћеханизмы проводимости твердых тел;  онтактные €влени€; бипол€рные и полевые транзисторы. ѕриведено много диаграмм и описаний.
ћоскатов ≈.ј. Ёлектронна€ техника. Ќачало. 3-е изд

ћоскатов ≈.ј. Ёлектронна€ техника. Ќачало. 3-е изд

  • разное
  • djvu
  • 2.88 ћЅ
  • добавлен 29.06.2010
“аганрог, 2010 г. - 204 с. ¬ книгу вход€т сведени€ о полупроводниках, о созданных на их основе современных компонентах, например, плазменных панел€х, диспле€х на углеродных нанотрубках, ионисторах, бипол€рных транзисторах с изолированными затворами, запираемых тиристорах и прочих. ћатериал содержит ответы на некоторые вопросы эл...
Ћекции - ѕолупроводниковые приборы

Ћекции - ѕолупроводниковые приборы

  • лекции
  • doc
  • 722.76  Ѕ
  • добавлен 01.04.2007
÷елью изучени€ дисциплины €вл€етс€ формирование у студентов знаний о конструкци€х, принципах действи€, характеристиках и параметрах полупроводниковых приборов, о физических основах функционировани€ полупроводниковых приборов, о режимах их работы и вли€нии режимов на параметры и характеристики приборов.
ћатериал дисциплины б...