Учебное пособие. - М.: МИФИ, 2008. - 156 с. Распознано.
Рассматриваются основные перспективные материалы и технологии
полупроводниковой микро- и наноэлектроники, включающие разработку
элементной базы для субмикронных и глубокосубмикронных СБИС на
кремнии, на широкозонных полупроводниках и гетероструктурах.
Предназначено в качестве учебного пособия для студентов, обучающихся по специальности "Электроника и автоматика физических установок" по направлению подготовки "Ядерные физика и технологии", программа "Электроника физических установок".
После каждой главы- контрольные вопросы. Содержание (7 глав):
Список условных обозначений.
Введение.
Арсенид галлия.
Другие полупроводниковые соединения А3В5.
Полупроводниковое соединение кремний – германий.
Карбид кремния.
Алмазные и алмазоподобные материалы.
Материалы и подложки для субмикронных.
Заключение.
Литература.
Предназначено в качестве учебного пособия для студентов, обучающихся по специальности "Электроника и автоматика физических установок" по направлению подготовки "Ядерные физика и технологии", программа "Электроника физических установок".
После каждой главы- контрольные вопросы. Содержание (7 глав):
Список условных обозначений.
Введение.
Арсенид галлия.
Другие полупроводниковые соединения А3В5.
Полупроводниковое соединение кремний – германий.
Карбид кремния.
Алмазные и алмазоподобные материалы.
Материалы и подложки для субмикронных.
Заключение.
Литература.