3-е изд., доп. — М.: Техносфера, 2008. — 512 с. — ISBN
978-5-94836-187-1.
Рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и
физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ
электронных процессов в объеме полупроводников, в
электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда
на поверхности полупроводников. Подробно рассмотрены характеристики
диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов,
светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на
основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, InP.
Рассмотрены характеристики полупроводниковых приборов при
экстремальных температурах, квантовый эффект Холла,
микроминиатюризация и приборы наноэлектроники.
В третьем издании учебного пособия добавлены разделы по теории поглощения и генерации оптического излучения, дополнительно введены разделы о полевых транзисторах с высокой подвижностью электронов, репрограммируемых элементах памяти и солнечных батареях, расширено описание характеристик полупроводниковых приборов при высоких
температурах.
Для студентов вузов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники, аспирантов и научных сотрудников. Примечание. Титульник и информация о пособии, т.е первые две страницы - самодельные.
В третьем издании учебного пособия добавлены разделы по теории поглощения и генерации оптического излучения, дополнительно введены разделы о полевых транзисторах с высокой подвижностью электронов, репрограммируемых элементах памяти и солнечных батареях, расширено описание характеристик полупроводниковых приборов при высоких
температурах.
Для студентов вузов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники, аспирантов и научных сотрудников. Примечание. Титульник и информация о пособии, т.е первые две страницы - самодельные.