Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата
физико-математических наук. Работа выполнена на кафедре физической
электроники Таджикского национального университета. Душанбе – 2012,
20с.
Специальность: 01 04 07 – физика конденсированного состояния Целью работы является разработка технологии синтеза поликристаллических плёнок теллурида кадмия на различных подложках и исследование их структуры (на молекулярном и надмолекулярном уровнях) и электрооптических свойств, которая охватывает
следующие задачи:
разработка технологии синтеза тонких и толстых плёнок теллурида кадмия методом вакуумного напыления в квазизамкнутом объеме;
исследование влияния типа подложки на молекулярную и надмолекулярную структуры плёнок, полученных при различных условиях;
изучение взаимосвязи структурных параметров и электрических свойств поликристаллических плёнок, синтезированных при различных технологических условиях;
установление механизма проводимости поликристаллических систем на основе модели гетерогенной структуры плёнок, определение величин межкристаллитных барьеров и установление их зависимости от параметров осаждения;
разработка радиационного способа получения поликристалли-ческого слоя на поверхности монокристаллического теллурида кадмия и исследование его структурно-электрических характеристик;
исследование структуры и электрических свойств тонких плёнок (до 1 мкм) теллурида кадмия в рамках модели неоднородного полупроводника с межкристаллитными барьерами; оценка величины межкристаллитных барьеров, а так же барьера Шоттки и фактора идеальности на контактах Al/CdTe, Ag/CdTe;
влияние температуры и скорости роста тонких (2 мкм) плёнок на спектр пропускания и коэффициент поглощения плёнок теллурида кадмия; оценка ширины запрещенной зоны на основе оптических данных и ее зависимости от технологических условий синтеза плёнок.
Специальность: 01 04 07 – физика конденсированного состояния Целью работы является разработка технологии синтеза поликристаллических плёнок теллурида кадмия на различных подложках и исследование их структуры (на молекулярном и надмолекулярном уровнях) и электрооптических свойств, которая охватывает
следующие задачи:
разработка технологии синтеза тонких и толстых плёнок теллурида кадмия методом вакуумного напыления в квазизамкнутом объеме;
исследование влияния типа подложки на молекулярную и надмолекулярную структуры плёнок, полученных при различных условиях;
изучение взаимосвязи структурных параметров и электрических свойств поликристаллических плёнок, синтезированных при различных технологических условиях;
установление механизма проводимости поликристаллических систем на основе модели гетерогенной структуры плёнок, определение величин межкристаллитных барьеров и установление их зависимости от параметров осаждения;
разработка радиационного способа получения поликристалли-ческого слоя на поверхности монокристаллического теллурида кадмия и исследование его структурно-электрических характеристик;
исследование структуры и электрических свойств тонких плёнок (до 1 мкм) теллурида кадмия в рамках модели неоднородного полупроводника с межкристаллитными барьерами; оценка величины межкристаллитных барьеров, а так же барьера Шоттки и фактора идеальности на контактах Al/CdTe, Ag/CdTe;
влияние температуры и скорости роста тонких (2 мкм) плёнок на спектр пропускания и коэффициент поглощения плёнок теллурида кадмия; оценка ширины запрещенной зоны на основе оптических данных и ее зависимости от технологических условий синтеза плёнок.