Лабораторная
  • формат doc
  • размер 26,05 КБ
  • добавлен 08 марта 2012 г.
Исследование ВАХ и определение номинальных параметров электронных ламп
ИНЕУ, Казахстан, 2012 год, страницы- 3.
Двухэлектродный полупроводниковый элемент * диод содержит n - и p -проводящий слои (рис. 1.1.1). В n-проводящем слое в качестве свободных носителей заряда преобладают электроны, а в p-проводящем слое * дырки. Существующий между этими слоями p-n переход имеет внутренний потенциальный барьер, препятствующий соединению свободных носителей заряда. Таким образом, диод блокирован.
При прямом приложении напряжений («+» к слою p, «—» к слою n) потенциальный барьер уменьшается, и диод начинает проводить ток (диод открыт). При обратном напряжении потенциальный барьер увеличивается (диод заперт). В обратном направлении протекает только небольшой ток утечки, обусловленный неосновными носителями.