Санкт-Петербург: ЛЭТИ СПб, 2015. - 54 с.
Высоковольтные GaAs-AlGaAs pin диодные структуры, полученные методом жидкофазной эпитаксии.
Темой работы является освоение метода получения высоковольтных GaAs-AlGaAs pin диодных структур методом жидкофазной эпитаксии.
Цель данной работы – получение высоковольтных GaAs-AlGaAs pin диодных структур методом жидкофазной эпитаксии в графитовой кассете поршневого типа и поиск оптимального состава твёрдой фазы и температурно-временного режима выращивания эпитаксиальных структур в данной ростовой системе.
В результате проведенных опытов были получены структуры, блокирующие напряжения до 450 В, способные переключать токи до 10 А за время до 15 нс. Данные структуры можно использовать для изготовления силовых высокотемпературных диодов повышенного быстродействия.
Данные результаты были получены с помощью установки, предназначенной для выращивания соединений A3B5 методом жидкофазной эпитаксии. В качестве метода диагностики использовались рентгеноспектральный микроанализ и метод Лэкса.
Высоковольтные GaAs-AlGaAs pin диодные структуры, полученные методом жидкофазной эпитаксии.
Темой работы является освоение метода получения высоковольтных GaAs-AlGaAs pin диодных структур методом жидкофазной эпитаксии.
Цель данной работы – получение высоковольтных GaAs-AlGaAs pin диодных структур методом жидкофазной эпитаксии в графитовой кассете поршневого типа и поиск оптимального состава твёрдой фазы и температурно-временного режима выращивания эпитаксиальных структур в данной ростовой системе.
В результате проведенных опытов были получены структуры, блокирующие напряжения до 450 В, способные переключать токи до 10 А за время до 15 нс. Данные структуры можно использовать для изготовления силовых высокотемпературных диодов повышенного быстродействия.
Данные результаты были получены с помощью установки, предназначенной для выращивания соединений A3B5 методом жидкофазной эпитаксии. В качестве метода диагностики использовались рентгеноспектральный микроанализ и метод Лэкса.