Каменская А.В., Дикарева Р.П. Технологические процессы в микроэлектронике

Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2005. – 44 с.
Учебное пособие составлено на основании Государственного обра-зовательного стандарта высшего профессионального образования. В по-собии описываются технологические процессы получения и очистки кристаллов полупроводников, методы получения окисных слоев кремния. Включено также описание лабораторных работ «Кристаллизационные методы очистки полупроводников» и «Анодное окисление кремния».
Пособие адресовано студентам, обучающимся по специальности.
«Микроэлектроника и твердотельная электроника».

Оглавление:
Кристализационные методы очистки полупроводников.
- Методы выращивания кристаллов полупроводников.
- Направленная кристаллизация в тигле или лодочке.
- Выращивание кристаллов методами зонной плавки.
- Выращивание кристаллов из растворов.
- Метод зонной плавки с градиентом температуры.
- Принцип очистки кристаллизацией.
- Коэффициент распределения.
- Распределение примеси в методе направленной кристаллизации.
Лабораторная работа № 1.
Контрольные вопросы.
Литература.
Анодное окисление полупроводников.
- Методы получения окисных пленок кремния.
- Окисление при высоком давлении.
- Осаждение из газовой фазы.
- Осаждение SiO2 из пленкообразующих растворов.
- Испарение в вакууме.
- Анодное окисление.
- Цветовой метод контроля толщины.
- Строение границы раздела полупроводник–электролит. Поверхностные свойства полупроводника.
- Заряженные слои на границе полупроводник-электролит.
- Анодные реакции на кремниевом электроде.
- Анодное окисление при постоянном токе.
- Анодное окисление при постоянном напряжении.
Лабораторная работа № 2.
Контрольные вопросы.
Литература.