Автореферат диссертации канд. техн. наук (05.27.01 - твердотельная
электроника, радиоэлектронные компоненты, микро-и наноэлектроника,
приборы на квантовых эффектах; 05.13.05 - элементы и устройства ВТ
и систем управления); рук. работы : А. Ю. Никифоров. Москва: МИФИ,
2007 . 28 с. Библ. – 36 . Илл. - 18, табл. нет. Распознано. В
работе 5 глав.
Сама диссертация состоит из 220 страниц, в том числе 118 рисунков, 19 таблиц, список литературы из 199 наименований и состоит из введения, пяти глав и заключения.
Введение. Работа направлена на решение научно-технической задачи прогнозирования эффектов функциональных сбоев в микросхемах запоминающих устройств на структурах «кремний-на-сапфире» при импульсных ионизирующих воздействиях с предельными уровнями (до 10 в 13-ой степени ед/с), имеющей существенное значение для создания новых и совершенствования существующих радиационно-стойких элементов и устройств систем управления военного, космического и другого специального назначения, повышения их функциональных и эксплуатационных характеристик, а также эффективности применения.
Технические и эксплуатационные характеристики перспективных систем управления и контроля во многом обусловлены техническим уровнем входящих в их состав запоминающих устройств (ЗУ) – электронных узлов, реализующих функции записи, хранения и считывания информации. Оперативные и постоянные ЗУ (ОЗУ и ПЗУ) реализуются в виде больших и сверхбольших интегральных схем (БИС и СБИС). Основным элементно-технологическим базисом БИС ЗУ в настоящее время является КМОП (на комплементарных транзисторах метал-окисел-полупроводник (МОП))
Диссертация направлена на разрешение научного противоречия, которое заключается одновременно в необходимости и невозможности обеспечить достоверное прогнозирование эффектов информационных сбоев в новом поколении КМОП ЗУ на КНС структурах при ИИВ с предельными уровнями, оставаясь в рамках имеющихся методов и средств теоретического и экспериментального моделирования без их научно-технического развития.
Цель работы – разработка научно обоснованных методических и технических средств прогнозирования эффектов функциональных сбоев в микросхемах запоминающих устройств на структурах «кремний-на-сапфире» при импульсном ионизирующем воздействии с предельными уровнями.
Список сокращений:
СБИС - сверхбольшие интегральные схемы,
БИС – большая интегральная схема;
ЗУ – запоминающее устройство;
ИИВ – импульсное ионизирующее воздействие;
КМОП – комплементарные МОП;
МОП – метал - окисел – полупроводник;
КНС – кремний на сапфире;
ОЗУ – оперативное запоминающее устройство;
ПЗУ – постоянное запоминающие устройство.
Сама диссертация состоит из 220 страниц, в том числе 118 рисунков, 19 таблиц, список литературы из 199 наименований и состоит из введения, пяти глав и заключения.
Введение. Работа направлена на решение научно-технической задачи прогнозирования эффектов функциональных сбоев в микросхемах запоминающих устройств на структурах «кремний-на-сапфире» при импульсных ионизирующих воздействиях с предельными уровнями (до 10 в 13-ой степени ед/с), имеющей существенное значение для создания новых и совершенствования существующих радиационно-стойких элементов и устройств систем управления военного, космического и другого специального назначения, повышения их функциональных и эксплуатационных характеристик, а также эффективности применения.
Технические и эксплуатационные характеристики перспективных систем управления и контроля во многом обусловлены техническим уровнем входящих в их состав запоминающих устройств (ЗУ) – электронных узлов, реализующих функции записи, хранения и считывания информации. Оперативные и постоянные ЗУ (ОЗУ и ПЗУ) реализуются в виде больших и сверхбольших интегральных схем (БИС и СБИС). Основным элементно-технологическим базисом БИС ЗУ в настоящее время является КМОП (на комплементарных транзисторах метал-окисел-полупроводник (МОП))
Диссертация направлена на разрешение научного противоречия, которое заключается одновременно в необходимости и невозможности обеспечить достоверное прогнозирование эффектов информационных сбоев в новом поколении КМОП ЗУ на КНС структурах при ИИВ с предельными уровнями, оставаясь в рамках имеющихся методов и средств теоретического и экспериментального моделирования без их научно-технического развития.
Цель работы – разработка научно обоснованных методических и технических средств прогнозирования эффектов функциональных сбоев в микросхемах запоминающих устройств на структурах «кремний-на-сапфире» при импульсном ионизирующем воздействии с предельными уровнями.
Список сокращений:
СБИС - сверхбольшие интегральные схемы,
БИС – большая интегральная схема;
ЗУ – запоминающее устройство;
ИИВ – импульсное ионизирующее воздействие;
КМОП – комплементарные МОП;
МОП – метал - окисел – полупроводник;
КНС – кремний на сапфире;
ОЗУ – оперативное запоминающее устройство;
ПЗУ – постоянное запоминающие устройство.