Колосницын Б.С. Электронные приборы на основе полупроводниковых соединений

Учебно-методическое пособие по дисциплине «Физика полупроводниковых приборов» для студентов специальностей «Квантовые информационные системы» и «Микро- и наноэлектронные технологии и системы» дневной и заочной форм обучения. — Минск: БГУИР, 2006. — 104 с. В пособии рассмотрены электронные приборы, изготовленные на основе полупроводниковых соединений GaAs и GaN, которые отличаются от своих кремниевых аналогов сверхвысоким быстродействием и способностью устойчиво работать в более широком диапазоне температур. Арсенид галлия как материал микроэлектроники.
Полевые транзисторы с затвором Шоттки.
СВЧ гетеропереходные полевые транзисторы.
Гетеропереходные биполярные транзисторы.
Транзисторы с высокой подвижностью электронов: проблемы и технологии производства.
Псевдоморфные транзисторы с высокой подвижностью электронов.
Мощные СВЧ транзисторы на эпитаксиальных структурах AlGaN/GaN.