Учебное пособие. — Минск: БГУИР, 2016. — 196 с.
В первой части рассматриваются вопросы физики работы биполярных и
полевых структур с элементами расчета маломощных приборов НЧ и ВЧ
диапазонов.
Большое внимание уделено эффектам короткого канала МОП транзисторов, потери мощности в КМОП схемах, а также физике и конструкции полевых транзисторов с барьером Шоттки.
Данное учебное пособие будет полезно магистрантам, обучающимся в области микроэлектроники, а также инженерам электронной техники. Электронно-дырочный переход.
Контакты металл – полупроводник.
Биполярные транзисторы.
Полевые транзисторы.
Комплементарные МОП схемы.
Полевой транзистор с затвором Шоттки (ПТШ).
Большое внимание уделено эффектам короткого канала МОП транзисторов, потери мощности в КМОП схемах, а также физике и конструкции полевых транзисторов с барьером Шоттки.
Данное учебное пособие будет полезно магистрантам, обучающимся в области микроэлектроники, а также инженерам электронной техники. Электронно-дырочный переход.
Контакты металл – полупроводник.
Биполярные транзисторы.
Полевые транзисторы.
Комплементарные МОП схемы.
Полевой транзистор с затвором Шоттки (ПТШ).