• формат pdf
  • размер 6,40 МБ
  • добавлен 01 декабря 2016 г.
Колосницын Б.С., Мигас Д.Б. Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем. Часть 2. Мощные полупроводниковые приборы
Учебное пособие. — В 2-х частях. — Минск: БГУИР, 2016. — 158 с.
В учебном пособии приводится подробный сравнительный анализ электрических характеристик различных приборов силовой электроники: тиристоров, биполярных и полевых транзисторов, с изолированным затвором. Рассматриваются электрические и конструктивные параметры гетеробиполярных и гетерополевых транзисторов на основе различных полупроводниковых материалов. Анализируются возможные потери мощности в КМОП ИМС в статическом и динамическом режимах ее работы и пути их минимизации. Приводится сравнительный анализ электрических параметров диодов Шоттки на основе кремния, арсенида галлия и карбида кремния.
Учебное пособие может быть полезно магистрантам.
Эволюция силовых полупроводниковых приборов.
Мощные биполярные транзисторы.
МОП транзисторные структуры.
Биполярный транзистор с изолированным затвором.
Тиристоры.
Диоды СВЧ диапазона.