Корольков В.И., Рахимов Н. Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур

формат djv
размер 1.2 МБ
добавлен 17 января 2010 г.

Ташкент: Фан, 1968. - 152 с.: ил.

В книге рассмотрены принципы действия и перспективы применения широкозонных полупроводниковых материалов типа А3В5 в силовых диодах, транзисторах и тиристорах. Изложены физические основы и конструктивные особенности транзисторов на основе гетеропереходов. Приведены результаты исследования диодов, транзисторов и тиристоров на базе нового принципа действия, основанного на электронно-фотонном переносе неравновесных носителей заряда.
Книга предназначена для студентов, аспирантов, инженерно-технических работников, преподавателей ВУЗов.

Смотрите также

Бессарабов Б.Ф., Федюк В.Д., Федюк Д.В. Диоды, тиристоры, транзисторы и микросхемы широкого применения. Справочник

формат djvu
размер 14.38 МБ
добавлен 24 октября 2011 г.

Бессарабов Б.Ф., Федюк В.Д., Федюк Д.В. Диоды, тиристоры, транзисторы и микросхемы широкого применения. Справочник. Воронеж: ИПФ "Воронеж", 1994г. ISBN5-89981-030-0 В справочнике приведены электрические параметры, предельные эксплуатационные данные, габаритные размеры и другие характеристики отечественных серийно выпускаемых диодов, тиристоров, транзисторов и микросхем, применяемых в бытовой радиоаппаратуре и радиолюбительской практике. Приведены...

Борисов В.Л. Лекции по электронным приборам

формат djvu
размер 9.61 МБ
добавлен 03 декабря 2010 г.

Радиофизический факультет СПбГПУ, 2 курс, 3 семестр. 178 стр. Полупроводниковые приборы. Физические основы электронных приборов. Электронно-дырочный переход. Полупроводниковые диоды Транзисторы. Биполярный транзистор Полевые транзисторы. Приборы с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Лавинно-пролетный диод. Тиристоры. Диод Ганна. Светоизлучающие и фотоприемные приборы. Полупроводниковый лазер. Светоизлучающий диод. Фоторез...

Гаман В.И. Физика полупроводниковых приборов

формат djvu
размер 2.31 МБ
добавлен 28 мая 2009 г.

Томск, 1989. - 336 с. Один из лучших известных учебников по физике полупроводниковых приборов. Рассматриваются след. вопросы: контакты металл-полупроводник; электронно-дырочные переходы; пробой p-n-перхода; гетеропереходы; перех. процессы в п/п диодах; функциональные возможности п/п диодов; диоды для усиления и генерации СВЧ-мощности; биполярные и полевые транзисторы; приборы с ВАХ S-типа.

Лекции - Полупроводниковые приборы

Статья

формат doc
размер 722.76 КБ
добавлен 01 апреля 2007 г.

Целью изучения дисциплины является формирование у студентов знаний о конструкциях, принципах действия, характеристиках и параметрах полупроводниковых приборов, о физических основах функционирования полупроводниковых приборов, о режимах их работы и влиянии режимов на параметры и характеристики приборов. Материал дисциплины базируется на знаниях, полученных при изучении курсов: "физика", "ТОЭ", "ФОЭТ". Физика полупроводников. Теория p-n перехода...

Москатов Е.А. Электронная техника. Начало. 3-е изд

формат djvu
размер 2.88 МБ
добавлен 29 июня 2010 г.

Таганрог, 2010 г. - 204 с. В книгу входят сведения о полупроводниках, о созданных на их основе современных компонентах, например, плазменных панелях, дисплеях на углеродных нанотрубках, ионисторах, биполярных транзисторах с изолированными затворами, запираемых тиристорах и прочих. Материал содержит ответы на некоторые вопросы электронной техники, его отличает компактное изложение - в каждой теме дана минимально необходимая информация. Простым язы...

Реферат - Структуры интегральных схем

Реферат

формат doc
размер 287.85 КБ
добавлен 15 ноября 2010 г.

Введение. Классификация интегральных микросхем. Структуры интегральных схем. Конструкции активных элементов полупроводниковых микросхем. Транзисторы типа n–p–n. Транзисторы типа p–n–p. Многоэмиттерные транзисторы (МЭТ). Многоколлекторные транзисторы (МКТ). Составные транзисторы. Интегральные диоды и стабилитроны. Диод Шотки и транзистор с диодом Шотки. Конструкции активных элементов полупроводниковых микросхем. МНОП–транзисторы. МОАП–транзисторы....

Светцов В.И., Холодков И.В. Физическая Электроника и Электронные Приборы

формат pdf
размер 11.07 МБ
добавлен 07 июля 2010 г.

М., ИГХТУ им. Менделеева, 2008 г. , 500 стр. В монографии рассмотрены практически все разделы современной электроники: физические основы электроники, микроэлектроники и наноэлектроники, вакуумная и эмиссионная электроника (автоэмиссионные катоды, фотокатоды, ФЭУ, ЭОП, ЭЛТ и т. д. ), газоразрядная электроника (клистроны, ЛОВ, индикаторы, разрядники, газовые лазеры и т. д. ), твердотельная электроника (диоды, биполярные транзисторы, полевые транзис...

Слабухин Александр. Диоды с барьером Шоттки на основе карбида кремния

формат pdf
размер 390.55 КБ
добавлен 20 мая 2010 г.

Компоненты и технологии № 2'2005 Повышение производительности, достигающееся при использовании высоковольтных выпрямителей на основе карбида кремния в бустерных преобразователях, может использоваться для увеличения выходной мощности, частоты коммутации в устройствах небольших размеров или для повышения их надежности. Диоды Шоттки на основе карбидакремния компании Cree отлично подходят для повышения производительности, к тому же, сих помощью можн...

Тихомиров В.А. Курс лекции по Основам информационной электроники

формат doc
размер 63.69 КБ
добавлен 16 января 2010 г.

Нижний Новгород, 2004, НГТУ. 62 стр. Содержание. Введение. Полупроводниковые диоды. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Тиристоры. Интегральные микросхемы. Цифровые интегральные микросхемы. Элементы оптоэлектроники. Практические занятия.

Электроника и микроэлектроника

формат pdf
размер 87.71 МБ
добавлен 26 февраля 2011 г.

Учебное пособие для вузов. 2-е изд., исправленное. Чебоксары: Изд-во Чуваш, ун-та, 2001. 378 с. Рассматриваются структура, энергетические зоны и электропроводность полупроводников, технологические процессы выращивания монокристаллов кремния, теория p-n-перехода и методы его изготовления, основные типы полупроводниковых приборов, элементы полупроводниковых и гибридных интегральных схем, усилительные каскады, интегральные логические элементы. Огл...