Статья
  • формат pdf
  • размер 9.26 МБ
  • добавлен 23 мая 2007 г.
Лекции по гетеропереходам
Жуков.
Инжекционный лазер.
Феноменология усиления.
Плотность состояний.
Оптическое усиление.
ДГС и РОДГС лазеры.
Гетеропереходы.
Уравнение Шредингера.
Уровни в GaAs.
Напряжнные квантовые ямы.
Критическая толщина.
КЯ лазеры.
Модовый характер излучения.
Мощные лазеры.
Температурная зависимость.
Идеальные КТ.
Кристаллическая структура.
Методы формирования КТ.
Режим островкового роста.
Упорядоченные массивы КТ.
Электронный спектр КТ.
Энергия локализации КТ.
Управление длиной волны КТ.
КТ лазеры.
Многослойные КТ лазеры.
Диф. эффективность КТ лазеров.
Смотрите также

Амелина М.А. Электронные промышленные устройства

  • формат pdf
  • размер 1.23 МБ
  • добавлен 24 июля 2010 г.
Смоленск, 2006. – 73 с. Лекции по курсу электронные промышленные устройства (2 часть). Содержание: Фильтры. Синтез цифровых автоматов.

Амелина М.А. Электронные промышленные устройства

  • формат pdf
  • размер 2.74 МБ
  • добавлен 04 декабря 2008 г.
Лекции по курсу электронные промышленные устройства Информационные основы построения электронных промышленных устройств (ЭПУ) Сигналы в электронных промышленных устройствах .Дискретизация сигналов Коды и кодирование . Структура цифровой системы записи-воспроизведения звука на основе оптического компакт-диска(ЦАП) Параллельные Последовательные ЦАП Интерфейсы цифро-аналоговых преобразователей Применение ЦАП. Основные параметры ЦАП Аналого-цифровые...

Борисов В.Л. Лекции по электронным приборам

  • формат djvu
  • размер 9.61 МБ
  • добавлен 03 декабря 2010 г.
Радиофизический факультет СПбГПУ, 2 курс, 3 семестр. 178 стр. Полупроводниковые приборы. Физические основы электронных приборов. Электронно-дырочный переход. Полупроводниковые диоды Транзисторы. Биполярный транзистор Полевые транзисторы. Приборы с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Лавинно-пролетный диод. Тиристоры. Диод Ганна. Светоизлучающие и фотоприемные приборы. Полупроводниковый лазер. Светоизлучающий диод. Фоторез...

Лекции - Полупроводниковые приборы

Статья
  • формат doc
  • размер 722.76 КБ
  • добавлен 01 апреля 2007 г.
Целью изучения дисциплины является формирование у студентов знаний о конструкциях, принципах действия, характеристиках и параметрах полупроводниковых приборов, о физических основах функционирования полупроводниковых приборов, о режимах их работы и влиянии режимов на параметры и характеристики приборов. Материал дисциплины базируется на знаниях, полученных при изучении курсов: "физика", "ТОЭ", "ФОЭТ". Физика полупроводников. Теория p-n перехода...

Лекции - Системное проектирование производства БИС и СИС

Статья
  • формат doc
  • размер 1.3 МБ
  • добавлен 05 мая 2009 г.
Классификация интегральных микросхем, Подготовительные операции, Базовые элементы бис и сис, Особенности производства и применяемых расходных материалов. Основы проектирования маршрутной технологии кристаллов бис и сис. Анализ и синтез технологических маршрутов. Моделирование производства кристаллов бис и сис. Методы и алгоритмы моделирования базовых технологических операций. Методы и алгоритмы численного физико-Топологического моделирования полу...

Лекции по Цифровой электронике

Статья
  • формат doc
  • размер 4.95 МБ
  • добавлен 03 февраля 2010 г.
Соппа И. В. Лекции по Цифровой электронике Дальневосточный государственный университет. Институт физики и информационных технологий. Факультет информационных технологий. Сборник лекций содержит следующие разделы: Основы теории построения логических схем: Булевы функции; карты Карно. Основы построения логических схем: Импульсные сигналы; РТЛ, ДТЛ, ТТЛ, КМОП-логика. Основные узлы цифровых устройств: RS, T, D и JK-триггеры; дешифраторы; сумматоры;...

Лекции по электронике

Статья
  • формат rar
  • размер 1.58 МБ
  • добавлен 08 января 2010 г.
Материалы лекций по электронике из 13-пунктов. От диодов до операционных усилителей. Автор неизвестен. Материал c Интернета.rn

Расчет и проектирование СБИС. Лекции

  • формат pdf
  • размер 4.76 МБ
  • добавлен 31 октября 2009 г.
Конспект лекций по дисциплине «Расчет и проектирование СБИС» для высших учебных заведений по специальности «Микро- и наноэлектронные технологии и системы». Содержание. Терминология СБИС. Технико-экономический анализ. Проектирование биполярных СБИС. Проектирование МДП СБИС. Архитектура СБИС. Запоминающие устройства. Проектирование СБИС.

Тихомиров В.А. Курс лекции по Основам информационной электроники

  • формат doc
  • размер 63.69 КБ
  • добавлен 16 января 2010 г.
Нижний Новгород, 2004, НГТУ. 62 стр. Содержание. Введение. Полупроводниковые диоды. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Тиристоры. Интегральные микросхемы. Цифровые интегральные микросхемы. Элементы оптоэлектроники. Практические занятия.