Статья
  • формат pdf
  • размер 5.91 МБ
  • добавлен 02 ноября 2011 г.
Лекции - Полупроводники
Лекции. Полупроводники.
Содержание: полупроводники, контактные явления в полупроводниках p-n переход, p-n переход при прямом смещении, вольт-амперная характеристика p-n перехода при прямом смещении, уравнение Шокли, p-n переход при обратном смещении, пробой p-n перехода, переходные процессы в p-n переходе, полупроводниковые диоды, выпрямительные диоды, импульсные диоды, диоды Шоттки, стабилитроны, варикапы, туннельные диоды.
Смотрите также

Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах

  • формат djv
  • размер 3.18 МБ
  • добавлен 19 января 2010 г.
Москва, Издательство "Мир", 1973 год - 413 стр. Книга посвящена исследованию монополярной и двойной инжекции носителей заряда. Рассматриваемые явления имеет большое значение для понимания механизма прохождения тока через изоляторы и полупроводники, служат эффективным средством исследования электрических свойств твердых тел, и кроме того, имеют много важных технических применений, в частности в диэлектрической электронике и оптоэлектронике. Книг...

Лекции - Физические основы электроники (ФОЭ)

Статья
  • формат doc
  • размер 11.07 МБ
  • добавлен 22 февраля 2011 г.
109стр. 2006г. Данное учебное пособие является кратким конспектом лекций и может быть использовано как дополнительная литература при изучении материалов учебников. Основы теории твердого тела. Строение твердых тел. Энергетические уровни и зоны. Собственная проводимость полупроводников. Глубокие уровни. Примесные полупроводники. Оптические и электрические свойства полупроводников. Жидко кристальные приборы для отображения информации. Физические эф...

Лекции по ФОЭ

Статья
  • формат doc
  • размер 383.66 КБ
  • добавлен 28 сентября 2008 г.
Темы: Электропроводность полупроводников. Р-п переходы.Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Обратная связь. Операционные усилители. Применение операционных усилителей. и пр.// Лекции в формате .doc иллюстрированные.

Лекция - Сложные полупроводники (Материалы и элементы электротехники)

Статья
  • формат doc
  • размер 117.04 КБ
  • добавлен 21 октября 2009 г.
Полупроводниковые соединения AIVBIV, Методы выращивания монокристаллов SiC, Применение SiC, Полупроводниковые соединения AIIIBV, Получение соединений AIIIBV, Применение полупроводников AIIIBV, Полупроводниковые соединения AIIBV, Стеклообразные и аморфные полупроводники, Получение гидрогенизированного кремния и его применение.

Полупроводники в современной физике. Иоффе А. 1954

  • формат djvu
  • размер 3.41 МБ
  • добавлен 16 июня 2011 г.
Полупроводники — новая область физики, получившая развитие всего лишь в последние двадцать пять лет, несмотря на то, что почти вся окружающая нас неорганическая природа состоит из полупроводящих веществ.

Ружников В.А. Электронно-дырочный переход

  • формат pdf
  • размер 400.4 КБ
  • добавлен 01 января 2012 г.
Самара: ПГУТИ, 2011. – 11 с. Однородные полупроводники и однородные полупроводниковые слои находят весьма узкое применение и используются только в виде различного рода резисторов. Основные элементы интегральных микросхем и большая часть дискретных полупроводниковых приборов представляют собой неоднородные структуры. Большая часть полупроводниковых приборов работает на основе явлений, происходящих в области контакта твердых тел. На практике испол...

Савиных В.Л. Физические основы электроники

  • формат doc
  • размер 685.88 КБ
  • добавлен 26 августа 2009 г.
Учебное пособие. Новосибирск: СГУТиИ, 2003г. -76с Рассматриваются устройство, физические процессы, характеристики, параметры и простейшие схемы применения полупроводниковых электронных приборов Содержание. Введение. Основы теории электропроводности полупроводников. Общие сведения о полупроводниках. Полупроводники с собственной проводимостью. Полупроводники с электронной проводимостью. Полупроводники с дырочной проводимостью. Токи в полупроводни...

Слэтер Дж. Диэлектрики, полупроводники, металлы

  • формат djvu
  • размер 8.99 МБ
  • добавлен 28 июня 2009 г.
Диэлектрики, полупроводники, металлы. Дж. Слэтер — М.: Мир, 1969, с. 648. Предлагаемая вниманию читателей книга, посвященная основам физики твердого тела, входит в серию книг автора «Квантовая теория молекул и твердых тел». (Ранее, в 1963 г., был издан перевод первой книги этой серии «Электронная структура молекул». ) Автор книги, крупный американский физик-теоретик, специалист в области физики твердого тела, квантовой химии, электроники, известе...

Физические основы электроники. Конспект лекций ПГАТИ

  • формат ppt
  • размер 3.44 МБ
  • добавлен 10 августа 2008 г.
Элементы зонной теории твёрдого тела. Модель атома и св-ва электрона Квантовые числа. Понятие об энергетических уровнях и зонах. Кристаллическая решетка. Свойства полупроводников. Собственный полупроводник. Определение равновесной концентрации зарядов в собственном полупроводнике. Функция распределения Ферми-Дирака. Вероятность распределения электронов по энерг. уровням. Уровни Ферми. Эффективные массы электрона и дырки. Примесные полупроводники....

Шимони К. Физическая электроника. Перевод с немецкого

  • формат pdf
  • размер 29.54 МБ
  • добавлен 14 февраля 2011 г.
М. Энергия 1977г. 608 стр Книга К. Шимони "Физическая электроника" представляет собой систематическое изложение современной физической электроники, охватывающей как основные теоретические представления, используемые в этой области физики, и описание важнейших эспериментально устновленных фактов, на которых это изложение основывается, так и приложение важнейших физических идей, выдвинутых в этой области физической науки, для объяснения принципов д...