Практикум
  • формат pdf
  • размер 783,66 КБ
  • добавлен 25 января 2016 г.
Лысенко А.П., Мироненко Л.С. (сост.) Краткая теория p-n-перехода
М., МИЭМ, 2002. – 31 с.
Методические указания к лабораторному практикуму по дисциплине «Твердотельная электроника»
Настоящие методические указания являются руководством к выполнению лабораторных работ по курсам «Твердотельная электроника», «Физические основы электронной техники», «Физические основы микроэлектроники» для студентов дневного и вечернего отделений специальностей 200100, 200500 и 200300.
Содержание
Образование p-n-перехода
Равновесная контактная разность потенциалов
Энергетическая диаграмма p-n перехода
Барьерная емкость p-n перехода
Прямой и обратный ток p-n перехода
Вольтамперная характеристика p-n перехода
Распределение неосновных носителей вблизи области объемного заряда
Дополнительные теоретические сведения
Влияние температуры на обратный ток диода
Влияние температуры на прямую ветвь ВАХ диода
Основные физические постоянные