Мамыкин А.И., Рассадина А.А. Контактные явления в полупроводниках. Часть 2

Учеб.-методич. пособие по курсу ФОЭ. — СПб: НИУ ИТМО, 2014. – 34 с.
Рассматриваются основные физические процессы, лежащие в основе функционирования элементов твердотельной электроники и принципы работы полупроводниковых приборов. Пособие содержит элементарные сведения из квантовой механики и физики твердого тела, необходимые для понимания основного содержания курса «Физические основы электроники».
Учебное пособие предназначено для студентов II курса, обучающихся по направлению «210700 Инфокоммуникационные технологии и системы связи». Учебное пособие можно использовать для других направлений подготовки бакалавров.
Содержание:
Электропроводность полупроводников
Зонная структура металлов, полупроводников и диэлектриков
Статистика носителей заряда в полупроводниках
Основные параметры собственных полупроводников
Генерация и рекомбинация носителей заряда в собственном полупроводнике
Электропроводность собственного полупроводника
Генерация и рекомбинация носителей заряда в примесных полупроводниках
Вырожденные полупроводники
Электрический ток в полупроводниках
Неравновесные состояния в полупроводниках
Контактные явления в полупроводниках
Контакт полупроводников разного типа проводимости (p-n переход)
Зонная структура p-n перехода
Формирование области пространственного заряда
Вольт-амперная характеристика p-n перехода
Диффузионная и дрейфовая составляющие тока p-n перехода
Прямое включение p-n перехода
Обратное включение p-n перехода
Пробой p-n перехода
Емкость p-n перехода
Барьерная емкость
Диффузионная емкость p-n перехода
Контакт полупроводников одного типа проводимости
Гетеропереходы .
Энергетическая структура гетероперехода
Область пространственного заряда в гетеропереходе
Вольт-амперная характеристика гетероперехода
Контакт металл - полупроводник
Контакт металл – полупроводник n-типа
Контакт металл – полупроводник p-типа
Барьер Шоттки