М.: Металлургия, 1985. — 160 с.: ил.
Рассмотрены общие закономерности дефектообразования в
эпитаксиальных композициях полупроводников. Проанализированы
природа и закономерности возникновения дефектов в гомо- и
гетероэпитаксиальных системах. Обсуждены пути повышения
совершенства структуры эпитаксиальных композиций, в том числе
перспектива создания изопериодных гетерокомпозиций на основе
многокомпонентных твердых растворов полупроводниковых соединений.
На примере лазеров, светодиодов и других полупроводниковых приборов
продемонстрировано влияние дефектов на эксплуатационные
характеристики приборов.
Книга рассчитана на научных и инженерно-технических работников,
занятых в области технологии и физики полупроводниковых материалов
и приборов, а также на аспирантов и студентов вузов старших курсов
соответствующих специальностей.\.
Предисловие.
Общие закономерности дефектообразования.
Возникновение макронапряжений.
Образование дислокаций.
Собственные точечные структурные дефекты.
Дефекты в гетероэпитаксиальных композициях.
Особенности дефектообразований в гетерокомпозициях на основе
соединений типа АIIIBV.
Возможности создания совершенных гетерокомпозиций.
Изопериодные гетерокомпозиции на основе многокомпонентных твердых
растворов.
Гетероэпитаксиальные кремниевые структуры на изолирующих
подложках.
Дефекты в гомоэпитаксиальных композициях.
Дислокации.
Дефекты упаковки.
Дефекты двойниковой природы.
Влияние дефектов структуры на параметры полупроводниковых
приборов.
Возникновение и трансформация дефектов в процессе изготовления
приборов.
Влияние структурных дефектов на параметры кремниевых приборов и
интегральных схем.
Влияние дислокаций на характеристики приборов на основе соединений
АIIIBV.
Деградация полупроводниковых приборов как результат
дефектообразования.
Образование и движение дефектов в кристаллах полупроводников при
возбуждении электронной подсистемы.
Деградация инжекционных лазеров и светоизлучающих диодов.
Библиографический список.
Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников
