Литературный перевод. High-Power Ion beam Sources for
Semiconductor's Technologies. Institute of Electrical and
Electronics Engineers (IEEE). KORUS Physics. 2001 0-7803-7008-2/01
p.366-370
В этой статье рассматривается два источника мощных ионных пучков наносекундной длительности - МУК и ТЕМП. Они генерируют ионный пучки мощностью 500кэВ и длительностью 20-200 и 50 нс соответственно. Исследовалось два вида воздействия с помощью МУК и ТЕМП соответственно. Первый метод это имплантация тяжелыми ионами: пучок может состоять из ионов Н+, Сn+, Aln+, Mgn+, Fen+, Wn+, и др.; плотность тока в импульсе от 1 до 20 A/см2; полная энергия потока ~20 Дж. Второй метод использовался главным образом для энергетического воздействия со следующими параметрами: пучок состоит из ионов H+ и Cn+; плотность тока в импульсе 40 - 200 А/см2; полная энергия потока 0,3-0,5 кДж. Источники могут использоваться с различными диодными системами. Также они могут быть применены в исследованиях материалов для полупроводниковых устройств.
В этой статье рассматривается два источника мощных ионных пучков наносекундной длительности - МУК и ТЕМП. Они генерируют ионный пучки мощностью 500кэВ и длительностью 20-200 и 50 нс соответственно. Исследовалось два вида воздействия с помощью МУК и ТЕМП соответственно. Первый метод это имплантация тяжелыми ионами: пучок может состоять из ионов Н+, Сn+, Aln+, Mgn+, Fen+, Wn+, и др.; плотность тока в импульсе от 1 до 20 A/см2; полная энергия потока ~20 Дж. Второй метод использовался главным образом для энергетического воздействия со следующими параметрами: пучок состоит из ионов H+ и Cn+; плотность тока в импульсе 40 - 200 А/см2; полная энергия потока 0,3-0,5 кДж. Источники могут использоваться с различными диодными системами. Также они могут быть применены в исследованиях материалов для полупроводниковых устройств.