Под ред. Малинина А.Ю. М.: Энергия, 1979, 88 с.
Рассматриваются вопросы получения гетероэпитаксиальных структур кремния на сапфире и шпинели и формирования на их основе интегральных схем. Изложены методы выращивания кристаллов сапфира и алюмомагниевой шпинели, а также методы подготовки диэлектрических подложек к гетероэпитаксии.
Рассмотрены вопросы получения монокристаллических слоев кремния газотранспортными методами, особенности кристаллического строения и электрофизических свойств кремния на диэлектрических подложках. Книгу завершает материал о приборных разработках.
Книга предназначена для широкого круга специалистов, работающих в области производства полупроводниковых приборов и материалов для микроэлектроники.
Рассматриваются вопросы получения гетероэпитаксиальных структур кремния на сапфире и шпинели и формирования на их основе интегральных схем. Изложены методы выращивания кристаллов сапфира и алюмомагниевой шпинели, а также методы подготовки диэлектрических подложек к гетероэпитаксии.
Рассмотрены вопросы получения монокристаллических слоев кремния газотранспортными методами, особенности кристаллического строения и электрофизических свойств кремния на диэлектрических подложках. Книгу завершает материал о приборных разработках.
Книга предназначена для широкого круга специалистов, работающих в области производства полупроводниковых приборов и материалов для микроэлектроники.