М.: Сов. радио, 1978, 96 с.
В книге, написанной известным отечественным специалистом,
рассмотрены основные составляющие фотолитографического метода:
светочувствительные материалы, собственно технология
фотолитографии, практические приемы фотолитографии и применяемое
оборудование.
Книга рассчитана на широкий круг читателей. Технологи, знакомые с
фотолитографией, найдут в ней практические указания и новые
сведения. Инженеров, работающих в других областях, могут
заинтересовать возможности и перспективы развития фотолитографии.
Пресс Ф.П. Фотолитографические методы в технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
Смотрите также
Березин А.С., Мочалкина О.Р. Технология и Конструирование Интегральных Микросхем
М., Радио и связь, 1992 г. (2-е изд. ), 320 стр. Последовательно рассмотрены вопросы технологии кремниевых полупроводниковых, пленочных и гибридных интегральных микросхем различной степени интеграции, методы проектирования их элементной базы. Описаны типовые технологические процессы производства. Изложены принципы конструирования этих микросхем. Указаны конструктивно-технологические особенности больших и сверхбольших интегральных микросхем, а т...
Гаврилов Р.А., Скворцов М.А. Технология производства полупроводниковых приборов
Л.: «Энергия», 1968. - 240 с. В книге рассматриваются основные технологические процессы, используемые в производстве полупроводниковых приборов и полупроводниковых интегральных схем. Наибольшее внимание уделено процессам вплавления-рекристаллизации и диффузии, в результате проведения которых образуется электронно-дырочный переход. Планарной технологии, которая в последнее время стала широко применяться как для изготовления различных типов кремние...
Горбунов Ю.И., Козырь И.Я. Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы
Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн .3. - М.: Высшая школа, 1989. - 143 с.: ил. В книге приведены основы физики и принципы действия важнейших полупроводниковых приборов, используемых в качестве дискретных компонентов и элементов интегральных микросхем. Рассмотрены особенности и классификация интегральных микросхем. Описаны базовые элементы цифровых микросхем и принципы построения...
Курносов А.И., Юдин В.В. Технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
3-е издание, переработанное, дополненное. издательство "Высшая школа", 1986. - 368 с. В книге рассмотрены основы технологического процесса производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. В з-е издание вошли главы радиоционной обработке материалов и приборов, новейшие на то время конструкции корпусов интегральных микросхем, а также полупроводниковым материалам.
Парфенов О.Д. Технология микросхем
«Высш. школа», 1977г. , 256 с. с ил. В книге рассмотрены: технология полупроводниковых интегральных микросхем (диффузии. эпитаксия, пассивация, межсоединения, фотолитография); технология гибридных пленочных микросхем (физические основы и техника термического вакуумного напыления, активные и пассивные тонкопленочные элементы, методы контроля тонкопленочных элементов в процессе напыления, распыление ионной бомбардировкой, технологические особенност...
Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы
Хороший и достаточно емкий материал по полупроводниковым приборам В книге рассмотрены физические процессы в полупроводниковых приборах и элементах интегральных микросхем, их основные свойства, характеристики и параметры, конструктивно-технологические особенности полупроводниковых приборов в интегральном исполнении и общие принципы микроэлектроники. Книга предназначена для студентов, обучающихся по образовательным программам подготовки бакалавро...
Першенков В.С., Попов В.Д., Шальнов А.В. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем
М.: Энергоатомиздат, 1988, 256 с. Проанализировано влияние поверхностных радиационных эффектов в структуре диэлектрик-полупроводник на свойства элементов интегральных микросхем со структурой металл-диэлектрик-полупроводник и элементов биполярных интегральных микросхем. Рассмотрены физические модели, которые можно использовать при проектировании и создании интегральных микросхем, предназначенных для работы в условиях воздействия ионизирующего излу...
Реферат - Структуры интегральных схем
Введение. Классификация интегральных микросхем. Структуры интегральных схем. Конструкции активных элементов полупроводниковых микросхем. Транзисторы типа n–p–n. Транзисторы типа p–n–p. Многоэмиттерные транзисторы (МЭТ). Многоколлекторные транзисторы (МКТ). Составные транзисторы. Интегральные диоды и стабилитроны. Диод Шотки и транзистор с диодом Шотки. Конструкции активных элементов полупроводниковых микросхем. МНОП–транзисторы. МОАП–транзисторы....
Хрулёв А.К., Черепанов В.П. Диоды и их зарубежные аналоги. Справочник в 3-х томах. Том 3
В третьем томе справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные характеристики сверхвысокочастотных диодов, излучающих диодов ИК диапазона, светоизлучающих диодов, знакосинтезирующих индикаторов, оптопар и оптоэлектронных интегральных микросхем. Даются классификация и система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и п...