Учебное пособие. — СПб. гос. техн. ун-т. C.-Петербург, 1994. — 80
с.
Рассмотрены физические свойства полупроводников с неупорядоченно
распределенными примесными атомами и некоторые общие вопросы физики
неупорядоченных систем. Изложению физики неупорядоченных
полупроводников предшествует краткий обзор основных понятий теории
протекания. Далее рассматриваются переходы типа металл — диэлектрик
(переходы Мотта и Андерсона), локализованные состояния в слабо
легированных полупроводниках, включая сильно компенсированные, а
также термодинамика точечных дефектов.
Предназначено для студентов старших курсов физических
специальностей радиофизического и физико-технического факультетов;
а также может быть рекомендовано аспирантам и исследователям,
работающим в области физики и техники полупроводников, для
углубленного изучения предмета.
Оглавление:
Основные понятия теории протекания
Порог протекания и бесконечный кластер
Задача сфер
Уровень протекания
Структура бесконечного кластера
Переход Мотта
Переход металл - диэлектрик в регулярной решетке
Металлизация в неупорядоченной системе доноров
Магнитное вымораживание
Модели Андерсона и Лифшица
Модель Андерсона
Рассеяние делокализованных электронов и андерсоновская
локализация
Резонанс локализованных состояний в модели Андерсона
Модель Лифшица
Примесная зона слабо легированных полупроводников
Прыжковая проводимость
Вероятность прыжка и модель сетки сопротивлений Миллера —
Абрахамса
Зависимость прыжковой проводимости от концентрации примеси и
магнитного поля
Температурная зависимость прыжковой проводимости
Кулоновская щель
Щель в плотности локализованных состояний
Парные возбухсдения и электронные поляроны
Сильно легированные полупроводники
Крупномасштабный хаотический потенциал
Плотность электронных состояний
Сильно компенсированные полупроводники
Полностью компенсированные полупроводники
Край собственного поглощения света
Термодинамика дефектов
Энтропия я концентрация вакансий
Самокомпенсация электроактивной примеси собственными дефектами
Равич Ю.И., Немов С.А. Физика неупорядоченных полупроводников
