Известия АН СССР. Неорганические материалы

Известия АН СССР. Неорганические материалы. Ежемесячный журнал. Основан в 1965 году. — М.: Наука, 1977. Т. 13. № 8. СОДЕРЖАНИЕ Пахомов В. И. Некоторые вопросы кристаллохимии и кислородных неорганических соединений фосфора (V) Усков В. А., Кондраченко О. Е., Кондраченко Л. А. Применение теории многокомпонентной диффузии для описания распределения примесей при сложном диффузионном легировании полупроводников Гаврилов Г. М., Евдокимов В. И. Легирова...

Известия Ан СССР. Неорганические материалы. Ежемесячный журнал. Основан в 1965 году. –М.: Наука, 1977. Т. 13. № 1. Содержание. ерофеев Р.С. О сложном легировании полупроводников. Камарали В.В., Муравицкий С.А., Бузунов А.И., Тихонов В.П. Механизм роста дислокационных и бездислокационных монокристаллов Si. Глазов В.М., Павлова Л.М. Диаграмма фазового равновесия GaSb—Ag. Ильин Ю.Л., Саенко И.В. Влияние условий получения и легирования на структуру к...

Известия Ан СССР. Неорганические материалы. Ежемесячный журнал. Основан в 1965 году. –М.: Наука, 1977. Т. 13. № 2. Содержание. дудкин Л. Д., Ерофеев Р. С., Щербина Э. И. Исследование влияния сложного легирования на предельную величину концентрации электронов в Si. Воронкова Г. И., Воронин Н. И., Гончаров Л. А., Петрова Е. А., Хорват А. М., Чудаков В. С. Дефекты структуры в Ge сильно легированном барием. Дракин С. И., Исмайлов Г. И., Болотникова М...

Известия Ан СССР. Неорганические материалы. Ежемесячный журнал. Основан в 1965 году. –М.: Наука, 1977. Т. 13. № 3. Содержание. васильев М. В. Аппроксимация диаграмм состояния двойных систем с неограниченными твердыми растворами, перитектическим превращением и усложненного типа. Баталин Г. И., Стукало В. А., Белобородова Е. А., Бобко Н. И. Термодинамические свойства жидких сплавов Ge с Ga. Дутчак Я. И., Френчко В. С., Возняк О. М. Ближний порядок...

Известия АН СССР. Неорганические материалы. Ежемесячный журнал. Основан в 1965 году. — М.: Наука, 1977. — С. 591-759 Содаржание Палатник Л. С., Рогачева Е. И., Мелихова А. П., Дзюбенко Н. И. Характер растворимости третьего компонента в бинарном полупроводниковом соединении Любалян М. Д. Кинетическая обусловленность коэффициентов распределения примеси при росте кристаллов из расплава Иванютин Л. А., Гарба Л. С., Дьячкова Н. Н., Бочкарев С. Э. Влия...

Известия АН СССР. Неорганические материалы. Ежемесячный журнал. Основан в 1965 году. — М.: Наука, 1977. Т. 13. № 5. СОДЕРЖАНИЕ Семенова О. И., Репинский С. М., Запорожец Л. М. Взаимодействие монокристаллического Ge с парами серы Бацелев С. П., Марончук И. Е., Марончук Ю. Е., Масенко Б. П. Кристаллизация эпитаксиальных. слоев AlxGa1-xAs из ограниченного объема раствора-расплава Фролов И. А., Болдыревский П. Б., Друзь Б. Л., Соколов Е. Б. Механизм...

Известия АН СССР. Неорганические материалы. Ежемесячный журнал. Основан в 1965 году. — М.: Наука, 1977. Т. 13. № 6. СОДЕРЖАНИЕ Колешко В. М., Ковалевский А. А., Калошкин Э. П., Рыжикова Н. Е. Кинетика роста и свойства тонких высоколегированных поликристаллических пленок кремния Аникин В. К., Скворцов И. М., Лапидус И. И., Колоколов Л. А. Легирование эпитаксиальных слоев Ge фосфором в хлоридном и гидридном процессах Джафаров Т. Д., Демаков Ю. П.,...

Известия АН СССР. Неорганические материалы. Ежемесячный журнал. Основан в 1965 году. — М.: Наука, 1977. Т. 13. № 7. СОДЕРЖАНИЕ Маслов В. Н. Полупроводниковые периодические структуры - новый класс полупроводниковых материалов Гринштейн П. М., Лотоцкий А. Г,, Моргулис Л. М., Орлов П. Б., Петровский В. И., Фистуль В. И. Роль поверхности в процессе распада пересыщенных полупроводниковых твердых растворов Аксенов В. В., Петров В. М. Разупорядочение ос...

Известия АН СССР. Неорганические материалы. Ежемесячный журнал. Основан в 1965 году. –М.: Наука, 1977. Т. 13. № 9. СОДЕРЖАНИЕ Щевелева Т. М. Механизм роста и особенности морфологии ленточных кристаллов Si Семенова О. И., Репинский С. М., Запорожец Л. М. Образование сульфидных слоев на поверхности Ge в парах серы Яшенкова Л. Н., Новоселов С. К. Особенности кристаллизации тонких пленок халькогенидных стекол Шумилин В. П., Червяков А. И., Лобанов А....

Известия АН СССР. Неорганические материалы. Ежемесячный журнал. Основан в 1965 году. –М.: Наука, 1977. Т. 13. № 10. СОДЕРЖАНИЕ Долгов Е. Л., Василина Б. С. Гетерогенное равновесие Si—Ge—Br Козлов С. Б., Лазарев В. Б., Максимова С. И., Маренкин С. Ф., Пономарев В. Ф., Шевченко В. Я. Исследование морфологии роста из газовой фазы монокристаллов M3IIX2V Батырев Н. И., Селив А. А., Шумилин В. П. Анализ характера взаимодействия компонентов в тройной си...

Известия АН СССР. Неорганические материалы. Ежемесячный журнал. Основан в 1965 году. –М.: Наука, 1977. Т. 13. № 11. СОДЕРЖАНИЕ Неорганические материалы на службу народному хозяйству (к 60-летию Великой Октябрьской социалистической революции) Орлов А. М., Белащенко Д. К., Аникина В. И. Удаление дефектов типа включений из объема монокристаллов Гершанов В. Ю., Хулла В. Д. Температурная зависимость коэффициента распределения Р в системе Si—Аu—Р Хухря...

Известия АН СССР. Неорганические материалы. Ежемесячный журнал. Основан в 1965 году. –М.: Наука, 1977. Т. 13. № 12. СОДЕРЖАНИЕ Рытова Н. С., Фистуль В. И. Оценка уровня полупроводниковых материалов Горелик С. С., Дубровина А. Н., Власова Е. С., Дроздова Г. А. Влияние фазового наклона при полиморфном превращении и последующего отжига на микроструктуру халькогенидов меди Горелик С. С., Дубровина А. Н., Власова Е. С. Деформация и отжиг деформационны...

Известия АН СССР. Неорганические материалы. Ежемесячный журнал. Основан в 1965 году. — М.: Наука, 1978. — 192 с. Содержание Кононюк И. Ф., Вашук В. В., Ляшевич А. С. О роли межкристаллитной диффузии в кинетике твердофазных реакций Крылов А. С., Романенко В. Н. Управление составом кристаллов, выращиваемых в электрическом и магнитном полях Пашинкин А. С., Малкова А. С., Федоров В. А., Родионов А. В., Свешников Ю. Н., Термодинамическое описание проц...