• формат doc
  • размер 5.87 МБ
  • добавлен 08 июня 2010 г.
Шкаев А.Г. Твердотельная электроника: конспект лекций
Шкаев, А. Г. Твердотельная электроника: конспект лекций / А. Г. Шкаев. – Омск: Изд-во ОмГТУ, 2009.


Зонная структура полупроводников
Термины и определения
Статистика электронов и дырок в полупроводниках, положение уровня Ферми
Концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике
Концентрация электронов и дырок в примесном полупроводнике
Определение положения уровня Ферми
Проводимость полупроводников
Токи в полупроводниках
Неравновесные носители
Уравнение непрерывности
Барьеры Шоттки, p-n переходы и гетеропереходы
Ток термоэлектронной эмиссии
Термодинамическая работа выхода в полупроводниках p и n типов
Эффект поля, зонная диаграмма при эффекте поля
Дебаевская длина экранирования
Контакт металл – полупроводник. Барьер Шоттки
Зонная диаграмма барьера Шоттки при внешнем напряжении
Распределение электрического поля и потенциала в барьере Шоттки
Вольт амперная характеристика барьера Шоттки
Образование и зонная диаграмма р-n перехода
Распределение свободных носителей в p n переходе
Поле и потенциал в p n переходе
Компоненты тока в р n переходе
Вольт амперная характеристика р n перехода
Емкость p n перехода
Гетеропереходы
Вопросы для самопроверки
Полупроводниковые диоды
Характеристики идеального диода на основе p n перехода
Варикапы
Влияние генерации, рекомбинации и объемного сопротивления базы на характеристики реальных диодов
Стабилитроны
Туннельный пробой в полупроводниках
Лавинный пробой в полупроводниках
Туннельный и обращенный диоды
Смотрите также

Арипов Х.К., Абдуллаев А.М., Электронные твердотельные приборы и микроэлектроника

  • формат doc
  • размер 314.12 КБ
  • добавлен 01 января 2010 г.
Раздел Микроэлектроника. Ташкент, Электротехнический институт связи, 2002 г. Конспект лекции В конспекте лекций обобщен и систематизирован материал по разделу «микроэлектроника» курса «Электронные и квантовые приборы и микроэлектроника». Отличительной особенностью конспекта является наличие концептуальных диаграмм, соответствующих содержанию изучаемых тем. Они должны помочь при самостоятельном изучении курса. Конспект лекций предназначен для бак...

Арипов Х.К., Кузьмина Г.Н. Микроволновые полупроводниковые приборы

  • формат doc
  • размер 483.7 КБ
  • добавлен 01 января 2010 г.
Х. К. Арипов, Г. Н. Кузьмина, А. М. Абдуллаев, А. М. Афанасьева. Микроволновые полупроводниковые приборы. Конспект лекций - Ташкент: ТУИТ 2003. В данном конспекте лекций обобщен материал по дисциплине " Микроволновые полупроводниковые приборы". Отличительной особенностью конспекта является наличие концептуальных диаграмм, соответствующих содержанию изучаемых тем. Они должны помочь студентам при самостоятельном изучении курса. Конспект лекций пре...

Воронков Э.Н. Твердотельная электроника

  • формат doc
  • размер 1.39 МБ
  • добавлен 06 февраля 2011 г.
М.: МЭИ, 2002. - 181 с. Оглавление. Основные понятия физики полупроводниковых материалов. Диоды. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы.

Гуртов В.А. Твердотельная электроника

  • формат pdf
  • размер 8.38 МБ
  • добавлен 10 ноября 2011 г.
Учебное пособие / 2-е изд., доп. - М.: Техносфера, 2005. - 408с. В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодо...

Гуртов В.А. Твердотельная электроника

  • формат pdf
  • размер 3.06 МБ
  • добавлен 20 марта 2009 г.
В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как н...

Краткий справочник - Твердотельная электроника

Словарь
  • формат doc
  • размер 61.6 КБ
  • добавлен 05 декабря 2009 г.
Р-n переход. Электрические модели р-n переход. Ёмкости р-n переход. ВАХ реальных диодов. Стабилитрон. Применение диодов и стабилитронов. Биполярные VT.

Лабораторная работа №1

Лабораторная
  • формат doc
  • размер 114.64 КБ
  • добавлен 15 января 2007 г.
ПП1. Лабораторная работа по курсу "Твердотельная электроника" для студентов специальности "Промышленная электроника". Вывод не лучший, но сдать можно :)

Легостаев Н.С., Троян П.Е, Четвергов К.В. Твердотельная электроника. Учебное пособие

  • формат pdf
  • размер 3.84 МБ
  • добавлен 12 ноября 2011 г.
Томск: ТУСУР, 2007. - 566 с. Рассматриваются физические основы и математическое описание процессов, определяющих принцип действия твердотельных приборов, явления переноса в твердых телах, контактные явления в полупроводниках и структурах металл-полупроводник, металл-диэлектрик–полупроводник, изотипные и анизотипные гетеропереходы. Рассмотрены принципы действия и характеристики полупроводниковых диодов, биполярных транзисторов, тиристоров, МДП-тр...

Лысенко А.П. Биполярные транзисторы

  • формат pdf
  • размер 872.28 КБ
  • добавлен 15 октября 2009 г.
Рассматриваются процессы в различных областях транзисторной структуры, определяющие теория статический коэффициент передачи тока базы транзистора и его зависимость от режима и температуры. Для студентов и аспирантов, обучающихся по специальности 200100 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» (Московский государственный институт электроники и математики (технический университет))

Москатов Е.А. Твердотельная электроника

  • формат pdf
  • размер 1.85 МБ
  • добавлен 17 декабря 2009 г.
Специальная редакция для журнала «РАДИО». Москатов Е. А. Электронная техника. Специальная редакция для журнала Радио. – Таганрог, 2004. – 121 стр. Рецензент к. т. н. Гайно Евгений Владимирович. Автор выражает благодарность уважаемому Владимиру Чуднову за ценные за- мечания при подготовке рукописи. Автор выражает благодарность своему учителю – Александру Владимировичу Кнышу.