Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников

Монография. — М.: Наука, Главная редакция физико-математической литературы, 1979, 416 стр.
Аннотация:
В книге рассматриваются физические явления в легированных полупроводниках, для описания которых необходимо учитывать, что электроны находятся в хаотическом поле доноров и акцепторов. К этим явлениям относятся андерсоиовская локализация электронов, прыжковая проводимость, переход от металлической проводимости к активационной при изменении степени легирования и компенсации, оптические явления, связанные с хвостами плотности состояний. Современный подход к указанным проблемам в значительной мере основан на теории протекания. В книге дается первый в монографической литературе обзор этой новой математической дисциплины. Детально обсуждается основанный на теории протекания метол вычисления электропроводности сильно неоднородных сред. Систематически излагается теория прыжковой проводимости, построенная с помощью этого метода. Большое внимание уделяется сопоставлению ее результатов с экспериментом. Обсуждаются нерешенные проблемы теории. I. СЛАБО ЛЕГИРОВАННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
Структура одиночных примесных состояний
Локализация электронных состояний
Структура примесной зоны слабо легированных полупроводников
Общее представление о прыжковой электропроводности слабо легированных полупроводников
Теория протекания
Зависимость прыжковой проводимости от концентрации примесей и деформации кристалла
Прыжковая проводимость в магнитном поле
Энергия активации прыжковой проводимости
Прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка
Влияние корреляционных эффектов на плотность состояний и прыжковую проводимость
II. СИЛЬНО ЛЕГИРОВАННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
Состояния электронов в сильно легированных полупроводниках
Глубокий хвост плотности состояний и межзонное поглощение света
Теория сильно легированных и сильно компенсированных полупроводников (СЛКП)
Приложения