Новосибирск: "Наука", 1980. — 296 с. 600 dpi +
OCR
В монографии приведены конкретные данные о радиационных дефектах в полупроводниках, о возможностях и примерах их использования в технологических целях. Большое внимание уделено вопросам управления радиационными процессами. Точечные дефекты, разупорядоченные области, разупорядоченные и аморфные слои,полученные радиационными методами, их свойства, вопросы стабильности, ионное и ядерное
легирование, ионный синтез, радиационно-управляемая диффузия — круг проблем, которым посвящена данная книга.
Для научных и инженерно-технических работников, занимающихся исследованием и разработкой новых технологических методов полупроводниковой электроники, а также аспирантов и студентов вузов.
В монографии приведены конкретные данные о радиационных дефектах в полупроводниках, о возможностях и примерах их использования в технологических целях. Большое внимание уделено вопросам управления радиационными процессами. Точечные дефекты, разупорядоченные области, разупорядоченные и аморфные слои,полученные радиационными методами, их свойства, вопросы стабильности, ионное и ядерное
легирование, ионный синтез, радиационно-управляемая диффузия — круг проблем, которым посвящена данная книга.
Для научных и инженерно-технических работников, занимающихся исследованием и разработкой новых технологических методов полупроводниковой электроники, а также аспирантов и студентов вузов.