В.И. Стафеев, К.Ф. Комаровских, Г.И. Фурсин. –- М.: Радио и связь,
1981. –- 112 с.
Рассмотрен принцип действия нейристора - многофункционального
элемента, выполняющего различные логические операции и хранение
информации. Описаны различные конструкции нейристорных и других
функциональных схем: на основе полупроводниковых приборов с
отрицательным сопротивлением: на основе полупроводниковых приборов
с отрицательным сопротивлением, лазерноактивных сред,
сверхпроводниковых приборов и туннельных диодов, интегральных схем
с инжекционным питанием. Изложены особенности технологии,
схемотехники и применения рассматриваемых функциональных схем.
Рассчитана на широкий круг инженеров, работающих в области микроэлектроники и электронной техники. Оглавление
Введение
Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением
Двухэлектродные структуры с отрицательным сопротивлением
Трехэлектродные структуры с отрицательным сопротивлением
Управляемые S-структуры с объемной связью
Основные свойства S-элементов с объемной связью
Нейристоры
Нейристоры — аналоги нервных волокон
Нейристоры на основе многослойных структур
Нейристоры на основе Б-диодов на компенсированных полупроводниках
Нейристоры на основе германиевых S-диодов
Зависимость нейристорного импульса от параметров внешней цепи
Нейристоры на основе кремниевых S-диодов
Нейристоры на основе модуляционных транзисторов
Нейристоры на однопереходных транзисторах
Нейристоры на основе туннельных диодов
Нейристоры на основе сверхпроводниковых приборов
Квантовые нейристоры — нейристоры на основе лазерно-активных сред
Нейроконы и некоторые другие применения нейристоров
Нейроконы
Плоские телевизионные экраны
Другие применения нейристоров
Реализация элементарных логических операций на S-приборах
Выбор оптимальной активной связи между S-элементами
Запрещающая связь
Линия передачи
Элементарные логические операции
Функциональные логические модули на S-элементах
Некоторые вопросы проектирования и изготовления интегральных схем на S-элементах
Модуль, реализующий функцию ИЛИ—НЕ
Динамический сдвиговый регистр
Динамические интегральные схемы
Большие интегральные схемы
Универсальные модули
Основные особенности интегральных схем на S-элементах
Входные элементы ИС
Логические модули
Большие интегральные схемы
Особенности построения функциональных схем на S-элементах различного типа
Функциональные схемы на однопереходных транзисторах
Интегральные схемы на модуляционных транзисторах
Интегральные схемы на основе р—п—р—п структур
Функциональные схемы с использованием эффекта шнурования тока
Принципы организации ЭВМ на S-элементах
Перспективные области применения вычислительных устройств на S-элементах
Структурная схема вычислителя
Экспериментальное исследование ИС и арифметического узла вычислителя
Схемотехнические и технологические особенности интегральных схем с объемной связью на основе биполярных транзисторов и приборов с зарядовой связью
Логические схемы с инжекционным питанием
Коллекторно-управляемые логические схемы
Приборы с зарядовой связью
Сравнение интегральных схем с активной связью на S-приборах с транзисторными интегральными схемами
Основные параметры интегральных схем
Технологичность и процент выхода годных ИС
Надежность
Уровень интеграции
Рассчитана на широкий круг инженеров, работающих в области микроэлектроники и электронной техники. Оглавление
Введение
Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением
Двухэлектродные структуры с отрицательным сопротивлением
Трехэлектродные структуры с отрицательным сопротивлением
Управляемые S-структуры с объемной связью
Основные свойства S-элементов с объемной связью
Нейристоры
Нейристоры — аналоги нервных волокон
Нейристоры на основе многослойных структур
Нейристоры на основе Б-диодов на компенсированных полупроводниках
Нейристоры на основе германиевых S-диодов
Зависимость нейристорного импульса от параметров внешней цепи
Нейристоры на основе кремниевых S-диодов
Нейристоры на основе модуляционных транзисторов
Нейристоры на однопереходных транзисторах
Нейристоры на основе туннельных диодов
Нейристоры на основе сверхпроводниковых приборов
Квантовые нейристоры — нейристоры на основе лазерно-активных сред
Нейроконы и некоторые другие применения нейристоров
Нейроконы
Плоские телевизионные экраны
Другие применения нейристоров
Реализация элементарных логических операций на S-приборах
Выбор оптимальной активной связи между S-элементами
Запрещающая связь
Линия передачи
Элементарные логические операции
Функциональные логические модули на S-элементах
Некоторые вопросы проектирования и изготовления интегральных схем на S-элементах
Модуль, реализующий функцию ИЛИ—НЕ
Динамический сдвиговый регистр
Динамические интегральные схемы
Большие интегральные схемы
Универсальные модули
Основные особенности интегральных схем на S-элементах
Входные элементы ИС
Логические модули
Большие интегральные схемы
Особенности построения функциональных схем на S-элементах различного типа
Функциональные схемы на однопереходных транзисторах
Интегральные схемы на модуляционных транзисторах
Интегральные схемы на основе р—п—р—п структур
Функциональные схемы с использованием эффекта шнурования тока
Принципы организации ЭВМ на S-элементах
Перспективные области применения вычислительных устройств на S-элементах
Структурная схема вычислителя
Экспериментальное исследование ИС и арифметического узла вычислителя
Схемотехнические и технологические особенности интегральных схем с объемной связью на основе биполярных транзисторов и приборов с зарядовой связью
Логические схемы с инжекционным питанием
Коллекторно-управляемые логические схемы
Приборы с зарядовой связью
Сравнение интегральных схем с активной связью на S-приборах с транзисторными интегральными схемами
Основные параметры интегральных схем
Технологичность и процент выхода годных ИС
Надежность
Уровень интеграции