Технология материалов и изделий электронной техники

Филиал НИУ МЭИ в г. Смоленске, 2011. 20 с. Дисциплина - Технология материалов и изделий электронной техники. Целью работы над курсовым проектом является приобретение практических навыков решения инженерной задачи создания конкретного микроэлектронного изделия. Приведены этапы разработки гибридной интегральной микросхемы усилителя. В работе приведен метод масочного формирования ГИС, приведены методы расчета тонкопленочных резисторов и конденсаторов, выбора материалов, выбора материала подложки, выбор навесных элементов. Расчёт тонкоплёночных резисторов.
Определение оптимального сопротивления квадрата резистивной плёнки.
Определение значений для каждого из слоёв.
Определение допустимой погрешности коэффициента формы.
Определение конструкции по значению коэффициента формы.
Расчёт полосковых резисторов прямоугольной формы.
Расчёт резисторов прямоугольной формы, у которого длина меньше ширины.
Расчёт резисторов сложной формы типа меандр.
Расчёт тонкоплёночных конденсаторов.
Выбор материала.
Определение минимальной толщины диэлектрического слоя.
Определение удельной ёмкости конденсатора.
Определение допустимой погрешности активной площади конденсаторов.
Определение удельной ёмкости конденсаторов, исходя из обеспечения требуемой точности.
Определение минимальной удельной ёмкости.
Определение коэффициента, учитывающего краевой эффект.
Определение площади верхней обкладки конденсаторов.
Определение размеров верхней обкладки.
Определение размеров нижней обкладки и диэлектрика.
Определение площади, занимаемой конденсаторами.
Результат расчёта всех тонкоплёночных элементов.
Выбор навесных элементов.
Выбор конденсаторов.
Выбор транзистора.
Выбор подложки и корпуса.
Описание технологического процесса.