ТИИЭР 1988 Том 76 №11

М.: Мир. — 166 с. — (Малый тематический выпуск: Эффекты космической радиации в микроэлектронике). Ежемесячный журнал, публикуемый Институтом инженеров по электротехнике и радиоэлектронике, США. Перевод с английского. Обзор номера
Эффекты космической радиации в микроэлектронике (малый тематический выпуск). Ш.Э. Кернс, К.Ф. Галлоуэй
Статьи
Емкость слоев объемного заряда полупроводниковых р—п-переходов: Обзор. Лю Цзиньчжи, Ф.А. Линдолм
Радиационные условия работы электроники в космическом пространстве. Э.Г. Стассинополус, Дж.П. Реймонд
Воздействие излучения на микроэлектронные устройства в космосе. Дж.Р. Сраур, Дж.М. Макгэррити
Разработка радиационно стойких ИС космического назначения: Обзор подходов. Ш.Э. Кернс, Б.Д. Шейфер
Радиационные испытания полупроводниковых приборов для космической электроники. Р.Л. Пиз, А.Х. Джонстон, Дж.Л. Азаревич
Разработка радиационно стойкого электронного оборудования космических летательных аппаратов. Р.Д. Расмуссен
Письма
Кэш-память с виртуальной адресацией без обратной буферизации адреса. Л. Лоприоре
Замечания к обзору "Измерение характеристик материалов". Е.Б. Зальцман
Книжное обозрение
Рефераты