Начертательная геометрия и инженерная графика
Чертеж
  • формат autocad
  • размер 83,35 КБ
  • добавлен 30 сентября 2016 г.
УГО диоды и транзисторы
Автор и выходные данные не известны. Все элементы выполнены по ГОСТ 2.730-73 «Единая система конструкторской документации. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые».
Документ содержит:
001. Электрод база с одним выводом.
002. Электрод база с двумя выводами.
003. Р-эммитер с N-областью.
004. N-эммитер с Р-областью.
005. Несколько Р-эммитеров с N-областью.
006. Коллектор с базой.
007. Несколько коллекторов.
008. Область между проводниковыми слоями с различной электропроводностью.
009. Область между проводниковыми слоями с электропроводностью разного типа PIN или NIP.
010. Область между проводниковыми слоями с электропроводностью одного типа PIP или NIN.
011. Область между коллектором и областью с противоположной электропроводностью PIN или NIP.
012. Область между коллектором и областью с электропроводностью того же типа PIP или NIN.
013. Канал проводимости для полевых транзисторов обогащенного типа.
014. Канал проводимости для полевых транзисторов обедненного типа.
015. Переход PN.
016. Переход NP.
017. Р-канал на подложке N-типа обогащенный тип.
018. N-канал на подложке Р-типа обедненный тип.
019. Затвор изолированный.
020. Исток и сток.
021. Выводы полупроводниковых приборов электрически несоединенные с корпусом.
022. Выводы полупроводниковых приборов электрически несоединенные с корпусом.
023. Выводы полупроводниковых приборов электрически несоединенные с корпусом.
024. Выводы полупроводниковых приборов электрически соединенные с корпусом.
025. Выводы полупроводниковых приборов электрически соединенные с корпусом.
026. Выводы полупроводниковых приборов электрически соединенные с корпусом.
027. Вывод корпуса внешний.
028. Вывод корпуса внешний.
029. Эффект туннельный прямой.
030. Эффект туннельный обращенный.
031. Эффект линейного пробоя односторонний.
032. Эффект линейного пробоя двусторонний.
033. Эффект Шоттки.
034. Диод.
035. Диод тунельный.
036. Диод обращенный.
037. Стабилитрон односторонний.
038. Стабилитрон двухсторонний.
039. Диод теплоэлектрический.
040. Варикап.
041. Диод двунаправленный.
042. Диод двунаправленный.
043. Модуль с несколькими одинаковыми диодами с общим анодом и самостоятельными катодными выводами.
044. Модуль с несколькими одинаковыми диодами с общим катодным и самостоятельными анодными выводами.
045. Диод Шоттки.
046. Диод светоизлучающий.
047. Тиристор диодный запираемый в обратном направлении.
048. Тиристор диодный проводящий в обратном направлении.
049. Тиристор диодный симметричный.
050. Тиристор диодный симметричный.
051. Тиристор триодный.
052. Тиристор триодный запираемый в обратном направления с управлением по аноду.
053. Тиристор триодный запираемый в обратном направления с управлением по катоду.
054. Тиристор триодный запираемый в обратном направления с управлением по катоду.
055. Тиристор триодный выключаемый.
056. Тиристор триодный выключаемый запираемый в обратном направления с управлением по аноду.
057. Тиристор триодный выключаемый запираемый в обратном направления с управлением по катоду.
058. Тиристор триодный проводящий в обратном направлении.
059. Тиристор триодный проводящий в обратном направлении с.
управлением по аноду.
060. Тиристор триодный проводящий в обратном направлении с управлением по катоду.
061. Тиристор триодный симметричный - триак.
062. Тиристор триодный симметричный - триак.
063. Тиристор триодный запираемый в обратном направлении.
064. Тиристор триодный запираемый в обратном направлении.
065. Тиристор триодный запираемый в обратном направлении.
066. Тиристор триодный запираемый в обратном направлении.
067. Транзистор типа PNP.
068. Транзистор типа NPN с выводом от внутреннего экрана.
069. Транзистор типа NPN коллектор соединен с корпусом.
070. Транзистор лавинный типа NPN.
071. Транзистор однопереходный с N-базой.
072. Транзистор однопереходный с Р-базой.
073. Транзистор двухбазовый типа NPN.
074. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-области.
075. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-области.
076. Транзистор многоэммитерный типа NPN.
077. Транзистор полевой с каналом типа N.
078. Транзистор полевой с каналом типа Р.
079. Транзистор полевой с изолированным затвором без вывода от подложки обогащенного типа Р-каналом.
080. Транзистор полевой с изолированным затвором без вывода от подложки обогащенного типа N-каналом.
081. Транзистор полевой с изолированным затвором без вывода от подложки обедненного типа Р-каналом.
082. Транзистор полевой с изолированным затвором без вывода от подложки обедненного типа N-каналом.
083. Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа N-каналом с внутренним соединением истока и подложки.
084. Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа P-каналом.
085. Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р-каналом с выводом от подложки.
086. Транзистор полевой с затвором Шоттки.
087. Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки.
088. Фоторезистор.
089. Фоторезистор дифференциальный.
090. Фотодиод.
091. Фототиристор.
092. Фототранзистор типа PNP.
093. Фототранзистор типа NPN.
094. Фотоэлемент.
095. Фотобатарея.
096. Датчик Холла.
097. Датчик Холла.
098. Резистор магниточувствительный.
099. Магнитный разветвитель.