Украинец В.О., Ильчук Г.А., Украинец Н.А., Рудь Ю.В., Иванов-Омский В.И. Электрические свойства диодов Шоттки на высокоомных кристаллах CdTe

  1. Файлы
  2. Академическая и специальная литература
  3. Радиоэлектроника
  4. Электронная компонентная база (ЭКБ)
  5. Полупроводниковые приборы
  6. Полупроводниковые диоды
Полупроводниковые приборы
Статья
  • формат pdf
  • размер 90,64 КБ
  • добавлен 28 июня 2014 г.
Украинец В.О., Ильчук Г.А., Украинец Н.А., Рудь Ю.В., Иванов-Омский В.И. Электрические свойства диодов Шоттки на высокоомных кристаллах CdTe
Письма в ЖТФ, 1999, том 25, вып.
16. - 6 с.
Проведено измерение высоты барьера Шоттки на монокристаллах, легированных галогенами Cl, Br, J в процессе выращивания методом химических транспортных реакций, посредством предлагаемой модификации авторами F(V)-функции.
  • 2008 — 2024 «СтудМед»