Учебное пособие для студ. фак. Нано- и биомедицинских технологий. –
Саратов, СГУ, 2007. - 140 с.
Авторы: Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Феклистов В.Б., Вениг С.Б.
Изложены результаты теоретического описания взаимодействия СВЧ-излучения с полупроводниками, положенные в основу различных СВЧ-методов измерения параметров полупроводников, микро и наноструктур. В нем рассмотрены основные узлы, входящие в измерительные схемы. Приведены результаты анализа погрешностей измерений. Рассмотрены особенности СВЧ-методов измерения параметров полупроводников в сильных электрических полях и при наличии магнитного поля. В приложении приведено описание лабораторных работ по основам измерений параметров полупроводников, микро и наноструктур на СВЧ. В описании лабораторных работ содержится краткое изложение теоретических положений, знание которых необходимо для понимания сущности методов измерений, приведены выводы рабочих формул, положенных в основу измерений, обсуждены основные источники погрешностей, достоинства и недостатки различных способов измерений.
Для студентов университета, обучающихся по специальностям «Нанотехнология в электронике», «Материаловедение и технология новых материалов», «Микроэлектроника и твердотельная электроника», «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы», «Медицинская физика», «Управление качеством» и по направлению подготовки бакалавр-магистр «Электроника и микроэлектроника», а также научных сотрудников, аспирантов и инженеров, занимающихся проведением научных исследований в родственных областях науки.
Авторы: Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Феклистов В.Б., Вениг С.Б.
Изложены результаты теоретического описания взаимодействия СВЧ-излучения с полупроводниками, положенные в основу различных СВЧ-методов измерения параметров полупроводников, микро и наноструктур. В нем рассмотрены основные узлы, входящие в измерительные схемы. Приведены результаты анализа погрешностей измерений. Рассмотрены особенности СВЧ-методов измерения параметров полупроводников в сильных электрических полях и при наличии магнитного поля. В приложении приведено описание лабораторных работ по основам измерений параметров полупроводников, микро и наноструктур на СВЧ. В описании лабораторных работ содержится краткое изложение теоретических положений, знание которых необходимо для понимания сущности методов измерений, приведены выводы рабочих формул, положенных в основу измерений, обсуждены основные источники погрешностей, достоинства и недостатки различных способов измерений.
Для студентов университета, обучающихся по специальностям «Нанотехнология в электронике», «Материаловедение и технология новых материалов», «Микроэлектроника и твердотельная электроника», «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы», «Медицинская физика», «Управление качеством» и по направлению подготовки бакалавр-магистр «Электроника и микроэлектроника», а также научных сотрудников, аспирантов и инженеров, занимающихся проведением научных исследований в родственных областях науки.