М., Физматгиз, 1963, - 264 с.
В книге изложены физические представления о действии
электромагнитного и корпускулярных излучений на полупроводники.
Рассмотрены процессы поглощения электромагнитного излучения,
фотоионизация и ионизация при прохождении заряженных частиц высокой
энергии, а также основные типы процессов рекомбинации, приводящей к
возвращению возбужденного излучением кристалла в исходное
равновесное состояние. В отдельной главе содержатся данные об
излучательной рекомбинации в полупроводниках.
Приведены основы теории возникновения структурных дефектов в
полупроводниках под действием жесткой радиации и экспериментальные
данные об изменениях физических свойств полупроводников,
обусловленных такими дефектами.
Книга предназначается для научных сотрудников, занимающихся физикой
полупроводников и близкими к ней вопросами физики твердого тела,
для читателей, работающих в области практического использования
полупроводников в инфракрасной технике, энергетике и
экспериментальной ядерной физике, а также для студентов старших
курсов соответствующих специальностей.
Вавилов В.С. Действие излучений на полупроводники
