
 30
Плавающий (изолированный)  затвор  не  имеет  электрического  подвода,  он 
предназначен  для  хранения заряда.  Селектирующий  затвор  подсоединен  к  одному 
из выходов  дешифратора строк – к горизонтальной линии,  а  сток – к  вертикальной 
линии.  В  исходном  состоянии  отсутствует  заряд  на  плавающем  затворе (состоя-
ние 1), транзистор имеет очень небольшое пороговое напряжение. Выбор элемента 
осуществляется путем подачи 
на селектирующий затвор выходного напряжения ад-
ресного дешифратора, при этом включается транзистор и через цепь сток-исток про-
текает значительный ток. Программирование (занесение 0 в элементы) производит-
ся  подачей  на  сток  импульса  напряжения 25-30B. При  этом  происходит  инжекция 
электронов, имеющих  высокую  энергию, через оксид  на  изолированный затвор, по-
лучающий отрицательный заряд (состояние 0). В
 результате увеличивается порого-
вое напряжение, и подача на селектирующий затвор выходного напряжения дешиф-
ратора не включает этот транзистор. Сообщенное элементу состояние сохраняется 
сколь угодно долго. 
4.6. ФЛЭШ-ПАМЯТЬ 
Флэш-память (flash-memory) по  типу  запоминающих  элементов  и  основным 
принципам  работы  подобна  памяти  типа EEPROM (ППЗУ)  с  электрическим  перепро-
граммированием. Однако ряд архитектурных и структурных особенностей позволяют 
выделить  ее  в  отдельный  класс.  Разработка  флэш-памяти  считается  кульминацией 
развития схемотехники памяти с электрическим стиранием информации, и стала воз-
можной только после создания технологий сверхтонких пленок. Время электрического 
перепрограммирования флэш-памяти в отличие от существующих ППЗУ очень мало и 
составляет сотни наносекунд. Это позволяет использовать их в качестве оперативных 
внешних запоминающих устройств типа жесткого диска. Однако число циклов переза-
писи флэш-памяти ограничено. 
В  схемах  флэш-памяти  не  предусмотрено  стирание  отдельных  слов,  стирание 
информации  осуществляется  либо  для  всей  памяти  одновременно,  либо  для  доста-
точно больших блоков. Это позволяет упростить схемы ЗУ, т. е. способствует дости-
жению высокого уровня интеграции и быстродействия при снижении стоимости. Тех-
нологически  схемы  флэш-памяти  выполняются  с  высоким  качеством  и  обладают 
очень хорошими параметрами. 
Термин flash, по одной из версий, связан с характерной особенностью этого ви-
да  памяти – возможностью  одновременного  стирания  всего  ее  объема.  Согласно 
этой  версии  еще  до  появления  флэш-памяти  при  хранении  секретных  данных  ис-
пользовались  устройства,  которые  при  попытках  несанкционированного  доступа  к 
ним автоматически стирали хранимую информацию и назывались устройствами ти-
па flash (вспышка, мгновение). Это название перешло и к памяти, обладавшей свой-
ством быстрого стирания всего массива данных одним сигналом. 
Одновременное  стирание  всей  информации ЗУ  реализуется  наиболее просто, 
но имеет тот недостаток, что даже замена одного слова в ЗУ требует стирания и но-
вой записи для всего ЗУ в целом. Для многих применений это неудобно, поэтому на-
ряду со схемами с одновременным стиранием всего содержимого имеются схемы с 
блочной структурой, в которых весь массив памяти делится на блоки, стираемые не-
зависимо  друг  от  друга.  Объем  таких  блоков  сильно  разнится:  от 256 байт  до 
128 Кбайт. 
Число циклов перепрограммирования для флэш-памяти хотя и велико, но огра-
ничено, т.е. ячейки при перезаписи "изнашиваются". Для того, чтобы увеличить дол-
говечность  памяти,  в  ее  работе  используются  специальные  алгоритмы,  способст-
вующие "разравниванию" числа перезаписей по всем блокам микросхемы. 
Соответственно  областям  применения  флэш-память  имеет  архитектурные  и 
схемотехнические разновидности. Двумя основными направлениями эффективного