120
Исследуют кинетику накопления трет-бутильных радикалов при раз-
личных интенсивностях падающего света, изменяемых при помощи калиб-
рованных сеток. Скорость накопления радикалов определяют из начально-
го линейного участка кривой накопления. Из зависимости lgW от lgI, где
W - скорость накопления радикалов, I – интенсивность падающего света,
определяют порядок реакции n по интенсивности света.
Ответ: n ≈ 1.6-1.8.
6. Фотолиз комплекса тетранитрометана с трифениламином ИК-
светом [6].
Тетранитрометан образует окрашенные комплексы с ароматическими
соединениями. Фотолиз таких комплексов в полосе переноса заряда (λ =
440-480 нм, hν
макс
= 251-272 кДж/моль) приводит к гомолитическому раз-
рыву С-N связи в молекуле комплекса
δ+ δ− hν
D…NO
2
…C(NO
2
)
3
→ D…NO
2
+ C
•
(NO
2
)
3
,
где D – молекула ароматического соединения (донора электронов).
Энергия активации гомолитического распада тетранитрометана с
разрывом С-N в газовой фазе составляет около 163 кДж/моль. При исполь-
зовании в качестве донора электронов трифениламина в неполярных рас-
творителях наблюдается поглощение комплекса вплоть до 1200 нм.
Облучение замороженных растворов трифениламина (0.25 М) и тет-
ранитрометана (4.2 М) в бензоле при 77 К светом с длиной волны λ = 1080
нм (в качестве источника света используется лампа накаливания, снабжен-
ная стеклянным светофильтром ИКС-3 и интерференционным светофильт-
ром) приводит к появлению радикалов, регистрируемых методом ЭПР.
Квантовый выход образования радикалов в этой системе близок к 1 и она
может быть использована в качестве химического актинометра для види-
мой и ближней ИК-области спектра испускания различных источников
света.