
176
 Глава 9. Линии
 с
 жидким диэлектриком 
по эмпирическим формулам [7] для
 <3
 = 0,6 см и / = 30 не, показал, что наимень-
шую величину Е
ир
 имеет фторопласт-4 (0,28 МВ/см). Поэтому испытательная на-
пряженность выбрана исходя из величины Е
пр
 для фторопласта-4. 
Первоначально было подано 1,5-10
5
 импульсов с амплитудой 140 кВ; в линии не 
наблюдалось ни одного пробоя или перекрытия. Повышение амплитуды до 155 кВ 
привело через несколько сотен импульсов к пробою шайб из фторопласта и лишь 
через несколько десятков тысяч - к пробою шайб из органического стекла и поли-
этилена. Характерно, что пробивались в основном конусные и ступенчатые шайбы. 
Обусловлено это тем, что электрические прочности твердых диэлектриков и транс-
форматорного масла близки, а наличие нормальной к поверхности составляющей 
поля, характерное для этой формы шайб, усиливает поле
 в
 твердом диэлектрике. 
Накопленный опыт эксплуатации высоковольтных наносекундных генераторов и 
проведенные испытания подтверждают основные следствия, вытекающие из анализа и 
экспериментального исследования закономерностей, характеризующих импульсную 
электрическую прочность изоляции. Эти данные, в частности, показывают, что при 
расчете изоляционных конструкций наносекундных устройств, использующих жидко-
сти в качестве основной изоляции,
 а
 твердые диэлектрики -
 в
 качестве конструктивно-
го материала, выбор рабочей напряженности должен производиться, исходя из данных 
по электрической прочности твердой изоляции. В изоляционных конструкциях необ-
ходимо избегать последовательного расположения (относительно Ё) твердой и жид-
кой изоляции. Невыполнение этого условия повышает вероятность пробоя и разруше-
ния твердой изоляции. Много полезной информации о разрядах по поверхности твер-
дых диэлектриков
 в
 жидкости можно найти
 в
 обзорах [4,7,10]. 
Литература к главе 9 
1. Ехр1оёт§
 \У1гез /
 Её. Ьу \У.О. СЬасе
 апс!
 Н.К. Мооге. Уо1.
 1.
 ЮГ.:
 Р1епшп
 ргезз, 1959. 
2. Лагунов В.М., Федоров В.М. Применение водяной изоляции в импульсных генераторах 
тока и электронных ускорителях Новосибирского института ядерной физики // Физика 
плазмы. 1978.
 №
 3. С. 703-714. 
3.
 ЗтИИ
 I. Ыцшё 01е1ес1пс Ри1зе Ыпе ТесЬпо1о§у // Епег§у 81ога§е, Сотргеззюп, апё 
8\уксЫп§: РГОС. ОГ
 1Ъе 11п1егп.
 СопГ.
 оп
 Епег§у §1ога§е, Сотргеззюп апё 8\уксЫп§ (ЫОУ. 
5-7, 1974)
 /
 Её. Ьу ВозИск. Ы.У.; Ь.: Р1епит ргезз, 1976. Р. 15-23. 
4. 1С. Майт оп Ри1зеё Ро^ег / Её. Ьу Т.Н. Майт, А.Н. СиепШег, апё М. Кпзйапзеп. Ы.У.: 
Р1епит ргезз, 1996. 
5. Ггаггег С.В. «ОШЛ1» - Ри1зе Е1ес1гоп Веатз СепегаЮг //1 Уасиит 8сь апё ТесЬпо1. 
1975. Уо1.
 12,
 N6. Р. 1183-1187. 
6. Месяц Г.А., Воробьев
 Г.А.
 О возможности использования жидкостных разрядников в вы-
соковольтных наносекундных импульсных
 схемах // Изв.
 вузов. Физика.
 1962. №
 3. С. 21-23. 
7.
 Ушаков
 В Я. Импульсный электрический
 пробой
 жидкостей. Томск: Изд-во ТГУ, 1975. 
8.
 Стекольников
 КСБраго Е.Н., Базелян Э.М. Снижение разрядных напряжений в длин-
ных промежутках на косоугольной волне
 //
 ЖТФ. 1962. Т. 32, вып. 8. С. 993-1000. 
9. Воробьев А.А., Воробьев ГА. Электрический пробой и разрушение твердых диэлектри-
ков. М.: Высш. шк., 1966. 
10.
 8НагЪащН
 А.Н., Пеутз У.С., Кгад 8.1 Рго§гезз т *Ье Р1е1ё оГ Е1ес1:пс Вгеакёо\уп т 
01е1ес1пс Ычшёз
 //
 ШЕЕ Тгапз. Е1ес1г. 1пзи1. 1978. Уо1. 13. Р. 249-276.