Многомасштабное моделирование процессов и структур в нанотехнологиях

Подождите немного. Документ загружается.

ной примеси на электронную структуру КТ и определено, что примесь

изменяет основное состояние и частично разрушает набор магических

чисел для полного углового момента электронов. При низких средних

плотностях электронов часть электронов (до 5 электронов при N=14) на-

ходится в центре КТ и их волновые функции не перекрываются с осталь-

ными электронами, которые

распределены по кольцу.

Работа выполнена при поддержке РФФИ и администрации Краснодар-

ского края (06-02-96640).

А.А. ВАСИН

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова

ОБ ОЦЕНКЕ ЭКОНОМИЧЕСКИХ ЭФФЕКТОВ

ОТ ВНЕДРЕНИЯ НАНОТЕХНОЛОГИЙ

Обсуждаются методы расчёта и особенности оценки рентабельности нанотех-

нологий и прироста общественного благосостояния в результате их внедрения.

Оценка указанных эффектов (наряду с оценкой затрат на внедрение)

необходима для распределения средств, выделяемых на разработку нано-

технологий. Последние существенно различаются по срокам и сложности

внедрения в существующие технологические процессы.

Подобная проблема возникает для любых новых технологий. Условно

можно выделить следующие три типа. 1) Для технологий первого типа

результаты их реализации являются

эффективными заменителями суще-

ствующих товаров и могут быть непосредственно использованы в дейст-

вующих производственных процессах. 2) Для технологий второго типа

использование их продуктов требует разработки новых дополнительных

технологий. 3) Технологии третьего типа ведут к созданию качественно

новых конечных продуктов, не имеющих аналогов среди существующих.

Для каждой группы технологий нужны свои методы оценки

экономи-

ческих эффектов. Теоретической основой для разработки этих методов

являются работы В.Л.Макарова по теории экономического равновесия и

А.А. Петрова, И.Г. Поспелова и др. по моделированию развивающейся

экономики. Среди параметров, подлежащих оценке, отметим следующие:

1) рентабельность внедрения технологии; важна с точки зрения при-

быльности, возврата вложений и привлечения

частных инвестиций.

2) изменение равновесных объёмов выпуска, занятости, цен и общего

благосостояния в случае массового внедрения технологии; характеризует

влияние технологии на экономику в целом.

Для простоты рассмотрим случай, когда технология выпускает один

продукт. Пусть для создания единичной мощности требуется затратить

капитал К, срок её работы Т единиц времени, переменные затраты на еди-

ницу продукта составляют

c , а цена продукта – p. Тогда постоянные

затраты на единицу продукта составляют

))1(1/(

ddKc −−⋅=

, где d –

процентная ставка, а рентабельность

%100)1)/(( ⋅−+=η

ccp

Изменение равновесных параметров экономики при массовом внедре-

нии новой технологии можно оценить, исходя из следующей модели. Ог-

раничимся случаем линейной технологической модели. Обозначим x –

вектор выпусков, p – вектор цен, A – технологическую матрицу, )( pD –

функцию спроса конечных потребителей, w – прибыль на единицу про-

дукции, которая в равновесии должна быть одинакова

для всех исполь-

зуемых технологий. Равновесные значения цен и объёмов выпуска удов-

летворяют системе:

IwApp ⋅=⋅− ; xAxpD ⋅−=)(. Внедрение новой

технологии означает изменение матрицы

A и, как следствие, изменение

равновесного вектора цен. Второе уравнение позволяет рассчитать изме-

нение объёмов выпуска, исходя из изменения спроса, и найти прирост

общественного благосостояния.

Сложность практического применения модели в том, что мы распола-

гаем ограниченной информацией относительно технологической матрицы

A и не знаем функции спроса. В процессе исследования нужно построить

модель, которая позволила бы оценить интересующие нас параметры на

основе доступной информации.

По-видимому, основная часть нанотехнологий, имеющих перспективу

практического применения, относится ко второму и третьему типу. В

классификации, предложенной японскими исследователями (см. Кобаяси,

2005) вообще нет технологий первого типа. Среди

технологий второго

типа они отмечают: создание сверхминиатюрных полупроводниковых

устройств, разработку терабитовых запоминающих устройств, развитие

сетевых технологий на основе существенного повышения пропускной

способности оптических линий связи, создание новых устройств и струк-

тур из наноматериалов (нанокристаллы, наноплёнки, нанотрубки), созда-

ние новых аналитических систем на основе объединения методов биоло-

гии и нанотехники. Практическое

использование соответствующих про-

дуктов предполагает разработку новых дополнительных технологий для

получения конечных продуктов, являющихся эффективными заменителя-

ми существующих товаров и услуг. Для оценки экономического эффекта

от внедрения технологий второго типа необходимо оценить параметры

этих дополнительных технологий, что формально означает задание коэф-

фициентов расширенной технологической матрицы. Дальнейший расчет

параметров, характеризующих эффективность нанотехнологий, проводит-

ся указанным выше методом для технологий первого типа.

В.В. ВЕДЕНЯПИН, И.В. МЕЛИХОВ, Я.Г. БАТИЩЕВА

Институт прикладной математики им. М.В. Келдыша РАН

Московский государственный университет

РЕАКТИВНЫЕ СИЛЫ И ФОТОФОРЕЗ

В книге [1] рассматриваются движение твердого тела с переменным эллипсои-

дом инерции. Такие вопросы могут иметь приложения в движении спутников [7] и

в задаче о движении больших взаимодействующих со средой частиц. Последнее

движение было названо хемореактивным и было исследовано группой И.В. Ме-

лихова химического факультета МГУ и в ИПМ им. М.В

.Келдыша РАН [8]. Была

создана модель химической реакции на поверхности тела, и была исследована

соответствующая математическая модель [2,3,8]. Получены новые точные реше-

ния движения твердого тела, которые асимптотически при времени, стремящемся

к бесконечности, дают идеальную спираль.

Эта модель была применена к объяснению фотофореза. [4]. Термин

фотофорез был предложен Феликсом Эренхафом. [5]. В его эксперимен-

тах пыль, серебряные и медные взвешенные частицы двигались по на-

правлению к свету (“strongly exhibited a tremendous lightnegative move-

ment, although they ought to be most heated on the side toward the light, and

would expect a movement away from the light”) ([6]). При этом движения

были спиралевидными и в фотофорезе, и в электрофорезе, и в магнито-

фоезе.

Таким образом, и обратный фотофорез и

спирали Феликса Эренхафа

получили объяснение в рамках хемореактивного движения [2,3,8], а сами

они служат подтверждением всей построенной теории. Кроме того, по-

строены точные решения уравнений движения твердого тела – в особен-

ности, получены решения в форме идеальной спирали. Построена теория

движения крупной частицы в реагирующем газе. Построена теория фото-

фореза, в особенности

обратного фотофореза.

Необходимо создать фотореактивные вещества - вещества, испаряю-

щиеся активно под действием света. Это было бы важным шагом в двух

направлениях. 1. Создание фотореактивных двигателей – двигателей на

основе испаряющегося под действием Солнца вещества. 2. В управляемом

термоядерном синтезе – для создания внешней оболочки мишени (моди-

фикация лазерного термояда – фотореактивный термояд). Для этого необ-

ходимо

создать последовательную молекулярно-кинетическую теорию

прямого и обратного фотоофореза, электрофореза, магнитофореза (как

взаимодействия фотонов с веществом).

Список литературы

1. Арнольд В.И. Математические методы классической механики., М.: Эдиториал УРСС,

2000.

2. Vedenyapin V.V., Batysheva Y.G., Melihov I.V. and Gorbatchevski A.Ya. On a motion of

solids in chemically active gaz. //Doclady Physics, V.48, N0 10,P.556-558 (2003). Translated from

Doklady Akademii Nauk, Vol 392, No 6, pp.738-780 (2003).

3. Batisheva J.G. On the Derivation of Dynamic Equations for a Rigid Body in a Gas Reacting

Nonuniformly with Its Surface.// Doklady Physics, Vol.48, No.10, 2003, pp.587-589. Translated

from Doklady Akademii Nauk, vol.392, No.5, 2003, pp.631-633.

4. Vedenyapin V.V. Photophoresis and reactive forces. // Mathematical modeling, v.18, 2006.

/Russian/

5. Ehrehaft F., Ann. Phys. (Leipzig) 56, 81 (1918).

6. Photophoresis phenomenon. Archive message from “Physics Forum”. Posted by Alan

Marshall on November 11 (2001).

7. Белецкий В.В., Яншин А.М. Влияние аэродинамических сил на вращательное движе-

ние спутников. — Киев: Наукова думка. 1984.

8. Мелихов И.В., Симонов Е.Ф., Божевольнов В.Е., Веденяпин В.В. Хемореактивное

движение твердых

тел, реагирующих с газом. М., Москва, КДУ, 2006.

В.Л. ВЕРГАСОВ

Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, Москва

ВОЗМОЖНОСТИ МЕТОДА ВАРИАЦИИ ЭНЕРГИИ

ЭЛЕКТРОННЫХ ПУЧКОВ В ИССЛЕДОВАНИИ

НАНОСТРУКТУР

Показано, что вариация ускоряющего электроны напряжения может сущест-

венно повысить эффективность исследований нанокристаллических образцов и их

дефектов в различных областях электронной кристаллографии – электронной

микроскопии атомного разрешения, вторичной электронной эмиссии, электроно-

графическом структурном анализе.

При обычно используемых энергиях электронных пучков Е = 100

кэВ – 1 МэВ при падении их вдоль кристаллографических осей сильно

возбуждается лишь очень небольшое (как правило, 2 – 3) число электрон-

ных блоховских волн, принадлежащих единичному неприводимому пред-

ставлению группы симметрии дифракционной задачи (так называемые s-

волны по атомной классификации). Связано это с тем, что при указанных

энергиях потенциальные

ямы атомных цепочек очень неглубоки и вме-

щают в себя лишь 1 – 2 сильнозаселенных уровня связанного движения,

отвечающих подбарьерным блоховским волнам, что позволяет находить

решения и в аналитическом виде. Это делает физически прозрачной

структуру электронного волнового поля в кристалле, определять положе-

ния его узлов относительно кристаллической решетки и ее дефектов в

зависимости от энергии налетающизх частиц. Последнее обстоятельство и

лежит в основе предлагаемых методик электронной кристаллографии.

Так, во

вторично-эмиссионных методах достижение максимума интен-

сивности вторичного излучения при варьировании ускоряющего напря-

жения будет означать, что максимум плотности волнового электронного

поля кристалла совпал с положением в нем дефекта при данном уско-

ряющем напряжении, что и позволяет определить глубину залегания де-

фекта.

В электронографии и электронной микроскопии варьирование напря-

жения

позволяет уточнить положение легких атомов в присутствии тяже-

лых, сделать доступным исследованию более широкий круг объектов,

снизить фактор расходимости.

Выводы работы иллюстрируются данными расчетов и экспериментов.

В.В. ВОЛКОВ

, Н.А. ШТУРКИН

, Р.М. КАДУШНИКОВ

В.И. РОЛДУГИН

, И.В. АНТОНОВ

, М.В. АЛФИМОВ

Институт нефетехимического синтеза им. А.В. Топчиева РАН, Москва

СИАМС, Екатеринбург,

Институт физической химии и электрохимии

им. А.Н.Фрумкина РАН, Москва,

Центр фотохимии РАН, Москва

АСИММЕТРИЧЕСКИЙ ТРАНСПОРТ В НАНОМЕМБРАНАХ

Асимметрия транспорта в наномембранах стала в последнее время

предметом повышенного интереса исследователей. Для биологических

мембран асимметрия транспорта установлена достаточно давно. Для син-

тетических мембран, это явление не наблюдалось в течение длительного

времени исследований. Однако в начале XXI века был создан ряд мем-

бранных систем, демонстрирующих асимметрию транспортных характе-

ристик, причем этот эффект

был выявлен для переноса как газов, так и

компонентов растворов. Для объяснения наблюдаемого эффекта асиммет-

рии было предложено несколько моделей, характеризующихся различной

степенью строгости.

Обсуждаются основные эксперименты, в которых наблюдался асим-

метричный транспорт компонентов различных флюидов, и наиболее реа-

листичные из предложенных моделей. Вся совокупность работ условно

разделена на две

основные группы, в первой из которых асимметрия объ-

ясняется достаточно просто в рамках классических моделей через смену

режима течения газов и жидкостей, а для объяснения данных другой

группы требуется построение принципиально новых моделей. Отмечены

основные условия наблюдения несимметричного транспорта в мембранах,

относящихся ко второй группе работ. Среди них особую роль (помимо,

естественно, несимметричной структуры мембраны) играет размер пор:

асимметрия проявляется только для мембран с порами нанометрового

размера. Вторым важным элементом является наличие сильного дально-

действующего взаимодействия молекул переносимых компонентов со

стенками пор. Третьим основным элементом

является реализация нели-

нейного режима транспорта, то есть наличие больших градиентов концен-

трации компонентов газа или жидкости, при котором проявляется и раз-

личие во взаимодействиях компонентов жидкости или газа с поверхно-

стью стенок пор. Показана роль каждого из этих элементов при переносе

в мембранах различного типа.

В качестве наглядного примера,

в котором играют важную роль все

отмеченные выше факторы, приведена оригинальная молекулярная мо-

дель транспорта газа через мембрану сложной геометрии. В модели с по-

мощью реалистичных потенциалов учитывалось молекулярное взаимо-

действие молекул между собой и с поверхностью пор. Путем прямого

численного моделирования динамики молекул показано, что только при

учете всех упомянутых

факторов наблюдается асимметрия в диффузии

газа через мембрану. Получены также зависимости величины эффекта

коэффициента асимметрии от различных параметров модели.

В.В. ВОЛКОВ

, Д.И. СВЕРГУН, С.В. АМАРАНТОВ, К.А. ДЕМБО

Институт кристаллографии имени А.В. Шубникова

Российской академии наук, Москва

ИССЛЕДОВАНИЕ ОДНОЗНАЧНОСТИ И УСТОЙЧИВОСТИ

ОПРЕДЕЛЕНИЯ ФОРМЫ ЧАСТИЦ ПО ДАННЫМ

МАЛОУГЛОВОГО РЕНТГЕНОВСКОГО РАССЕЯНИЯ

С ПОМОЩЬЮ КОМПЬЮТЕРНОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ

На примере ряда однородных тел с различной формой исследована устойчи-

вость восстановления их формы по одномерным кривым упругого когерентного

малоуглового рассеяния от разбавленных систем хаотически ориентированных

частиц. Данные рассеяния от модельных систем были рассчитаны теоретически.

Показано, что в случае частиц с пропорциями не более 1:3 восстановление формы

практически однозначно при условии низкого

разрешения (детали структуры не

должны быть менее 1/3-1/5 от максимального размера тела). Показана эффектив-

ность учета дополнительной информации о строении частиц, в частности, наличия

элементов симметрии.

Восстановление формы частиц низкого разрешения по данным мало-

углового упругого рентгеновского и нейтронного рассеяния в настоящее

время уже применяется для определения форм белковых молекул в рас-

творе и наночастиц в монодисперсных системах [1]. Задача поиска трех-

мерной функции формы даже однородной частицы по одномерным дан-

ным рассеяния от системы одинаковых хаотически ориентированных час-

тиц является, в общем случае, неоднозначной и к тому же, плохо обуслов-

ленной. Так как

интенсивность рассеяния I(s) (здесь s - модуль вектора

рассеяния,

s=4πsin(

- половина угла рассеяния,

- длина волны из-

лучения) однозначно связана Фурье-преобразованием

()

rrIsI

∫

∞

Ω

⋅==

sin

)(4)()(

γπ

s только с функцией распределения

по расстояниям

p(r) = r

γ(r), где

const

∫

⋅−⋅=

rrrr

ρργ

111

)()()(

явля-

ется усредненной по всем ориентациям самосверткой функции распреде-

ления рассеивающей плотности

(r), то связь I(s) cо структурой

(r) ока-

зывается неоднозначной. Плохая обусловленность приводит к дополни-

тельному разбросу решений, не связанному с неоднозначностью. На прак-

тике такая неоднозначность часто оказывается некритичной, так как не-

однозначные структуры, как правило, похожи. Априори одинаковыми для

всех допустимых решений должны являться объем, радиус инерции и

максимальный размер частиц, которые однозначно определяются формой

кривой рассеяния и существенно ограничивают допустимую вариацию

структуры. В случае сильно анизометричных частиц для получения ус-

тойчивых решений необходимо привлекать дополнительную информа-

цию, примеры которой также демонстрируются. В качестве дополнитель-

ной информации можно использовать известную симметрию частицы.

Продемонстрированы примеры восстановления структуры частиц, имею-

щих форму спирали и зависимость устойчивости решения от

углового

диапазона кривой рассеяния. Показано, что в случае частиц с пропорция-

ми не более 1:3 восстановление формы практически однозначно при усло-

вии низкого разрешения (детали структуры не должны быть менее 1/3-1/5

от максимального размера тела).

В данной работе исследовано применение программ [2], основанных

на двух различных алгоритмах моделирования строения частиц. Обе про-

граммы

основаны на поиске структурных параметров путем подгонки

экспериментальных данных рассеяния методом наименьших квадратов с

возможностью учета штрафных членов, отражающих дополнительные

требования к решению. Первый метод (программа SASHA) разработан

для восстановления формы оболочки частиц в однородном приближении

(внутренние неоднородности приближенно учитываются путем их чис-

ленного моделирования) и основан на мультипольном приближении

функции формы. Достоинством этого подхода является высокая скорость

получения решения, ограничением – невозможность описания внутренних

полостей в структуре. Вторая программа основана на моделировании

структуры набором плотноупакованных сфер малого диаметра (програм-

ма DAMMIN) и лишена этого недостатка, но поиск решения занимает

большее время.

Список литературы

1. Volkov V.V., et al. Determination of shape of Fab and Fc5 fragments separated from im-

munoglobulin IgM and rheumatoid factor from SAXS solution data by computer modeling // Inter-

national conference "Electron Microscopy and Multiscale Modeling-2007 EMMM'2007", Moscow,

3-7 September 2007. Book of abstracts. P.96.

2. http://www.embl-hamburg.de/ExternalInfo/Research/Sax/software.html

Н.Н. БАЛАН, Ю.А. ВОЛКОВ

Наноцентр Московского энергетического института,

Институт прикладной математики им. М.В. Келдыша РАН

ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ МЭМС-

И НЭМС-УСТРОЙСТВ С УПРАВЛЕНИЕМ

ЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ПОЛЕМ

Построена математическая модель динамического поведения упругих элемен-

тов МЭМС-устройств, управляемых электрическим полем. Исследованы переход-

ные процессы, возникающие при включении поля. Показано, что устойчивость

равновесных конфигураций в системе существенно зависит от амплитуды волн

изгиба, которые неизбежно появляются, если учесть жесткость на изгиб материала

диафрагмы. Показано также, как полученные результаты могут быть

использова-

ны в НЭМС-устройствах, в частности в туннельном сенсоре.

В связи с непрерывным совершенствованием технологии изготовления

микроэлектромеханических элементов математическое моделирование

микро- и наноэлектромеханических систем с упругими подвижными эле-

ментами диафрагменного типа является весьма актуальной задачей при-

кладной математической физики [1-3]. В датчиках на основе туннельного

эффекта [4] управление движением упругого элемента осуществляется

посредством приложения между упругим элементом (подвижным элек-

тродом) и неподвижным

электродом разности электрических потенциа-

лов. Используется тот факт, что на поверхность заряженного проводника

действует сила «отрицательного давления», направленная по нормали к

поверхности проводника и равная по величине плотности энергии поля

[5]. Ключевой задачей при моделировании таких устройств является оп-

ределения равновесного прогиба диафрагмы под действием давления

электрического поля. В работах [2], [3] эта задача была сведена к нели-

нейному дифференциальному уравнению, описывающему прогиб сильно

растянутой мембраны

под действием возрастающей нагрузки. Было пока-

зано, что расширение диапазона хода мембраны на всю величину межэ-

лектродного зазора невозможно из-за эффекта электростатического схло-

пывания [3], [4].

В данной работе предлагается математическая модель динамического

поведения упругого элемента под действием возрастающей нагрузки. В

общем случае модель состоит из двух уравнений. Электростатический

потенциал находится из

уравнения Лапласа с учетом кривизны поверхно-

сти элемента мембраны. В свою очередь, прогиб мембраны определяется

из волнового бигармонического уравнения, которое учитывает как натя-

жение, так и жесткость на изгиб материала мембраны. Кроме того, учиты-

ваются диссипативные процессы, связанные с трансформацией энергии

механических колебаний в другие виды энергии. Соответствующие ко-

нечно-

разностные уравнения решаются численно, методом сеточного

преобразования Фурье по собственным функциям задачи Дирихле для

оператора Лапласа. Численное моделирование динамики упругих элемен-

тов показало, что одной из причин неконтролируемого схлопывания элек-

тродов являются нелинейные волны изгиба, возникающие при включении

поля. Оказалось, что поведение упругого элемента существенно зависит

от величины коэффициента затухания, так

как в процессе приближения к

равновесному положению прогиб мембраны зависит от величины коэф-

фициента затухания.

Решено линеаризованное уравнение равновесия и показано, что в пре-

деле малых нагрузок это решение совпадает с численным решением нели-

нейного уравнения равновесия. Для линеаризованного уравнения также

вычислен спектр собственных частот волн изгиба.

Предложенная модель может

быть использована для оптимизации па-

раметров упругих элементов, применяемых в туннельных сенсорах. В

частности, эффект волн изгиба с амплитудой в нанометровом диапазоне

можно использовать для регистрации внешнего сигнала, например, аку-

стической волны с частотой, близкой к одной из резонансных частот ко-

лебаний мембраны. Туннельный сенсор предполагает наличие электрода

(иглы), расположенного

на расстояниях порядка 1-10 нм от поверхности

мембраны. Так как волны изгиба свободно (без затухания) распространя-

ются по поверхности мембраны, то вынужденные колебания малой ам-

плитуды изменят расстояния между мембраной и иглой, что, в свою оче-

редь приведет к изменению туннельного тока в системе.

Список литературы

1. Pelesko J.A., Bernstein D.H. Modeling MEMS and NEMS. // Chapman Hall and CDC

Press, 2002.

2. Pelesko J.A. Mathematical modeling of electrostatic MEMS with tailored dielectric prop-

erties. // SIAM J. Appl. Math., v.62, p.888 (2002).

3. Flores G., Mercado G., Pelesko J.A., Smyth N. Analysis of the dynamics and touchdown

in a model of electrostatic MEMS. // SIAM J. Appl. Math., v.67, p.434 (2006).

4. Алексенко А.Г., Балан Н.Н. Анализ эффекта схлопывания электродов электростати-

ческих актюаторов (pull-in- instability) в MEMS- и NEMS-устройствах. // Нано- и микросис-

темная техника, №7, с.31 (2005).

5. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Электродинамика сплошных сред. // М.: Физматлит,

1959.

Ю.М. ВОЛЬФКОВИЧ

Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина РАН, Москва

МЕТОД ЭТАЛОННОЙ ПОРОМЕТРИИ:

ОТ НАНОМЕТРА ДО СОТЕН МИКРОН.

МНОГОМАСШТАБНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ

СТРУКТУРЫ НА ПРОЦЕССЫ В ЭЛЕКТРОДАХ,

КАТАЛИЗАТОРАХ И МЕМБРАНАХ (ОБЗОР)

Разработан метод эталонной порометрии (МЭП), позволяющий исследовать

структуру в максимально широком диапазоне размеров пор ~ от 1 до 3х10

нм.

Разработаны основанные на математической обработке данных МЭП методы мно-

гомасштабного моделирования процессов в нанопористых катализаторах, элек-

тродах, и мембранах электрохимических генераторов и накопителей энергии.

Необходимость в разработке МЭП была вызвана существенными не-

достатками традиционных порометрических методов. МЭП заключается в

измерении равновесной зависимости влагосодержания исследуемого об-

разца от влагосодержания находящегося с ним в контакте эталонного об-

разца, для которого из независимых измерений известны характеристики

пористой структуры [1]. МЭП исследуется структура наноматериалов и

других объектов в максимальном диапазоне

радиусов пор ~ от 1 до

3х10

нм. МЭП получают более 10 видов информации: распределение пор

радиусам (порометрическая кривая), удельная поверхность, размеры на-

ночастиц, и др. МЭП исследованы разнообразные пористые объекты: на-

номатериалы, электроды, катализаторы, мембраны, адсорбенты, компози-