135
каркаса. Тогда можно связать переход в СИП – состояние AgI с увеличением
подвижности ионов, тогда как переход в β-PbF
2
– с увеличением концентрации
носителей заряда. Такой подход неожиданно получил подтверждение при исследовании
барической зависимости ионной проводимости AgI.
Фазовая диаграмма AgI в координатах (температура-давление) показана на Рис.
10.2. Видно, что под влиянием внешнего давления суперионный α-AgI переходит в фазу
со структурой NaCl. При этом координация ионов Ag
+
изменяется с, в основном,
тетраэдрической на, в основном, октаэдрическую. Такой переход приводит к тому, что
энергия образования дефекта становится не пренебрежимо малой, но вполне измеримой
величиной. Дефект здесь образуется при переходе иона Ag
+
из октаэдрической позиции
в тетраэдрическую. Следовательно, концентрация вакансий в октаэдрических позициях
может служить мерой величины ионной проводимости. Её температурная зависимость
показана на Рис. 10.2. вместе с постоянной решётки, характеризующей переход ионов
Ag
+
из более просторных окта- позиций в более тесные тетра-позиции. Хорошо видно,
что эти зависимости практически полностью повторяют температурные зависимости
концентрации подвижных ионов и параметра решётки для β-PbF
2
. Таким образом,
материалы, демонстрирующие наиболее высокую подвижность ионов должны иметь
пренебрежимо малую энергию образования дефекта. Последняя величина является
характеристикой не подвижной подсистемы, но каркаса. Поэтому, из всего списка
критериев высокой ионной проводимости для СИП-состояния следует оставить только
пункты 2 и 4. То есть, структура каркаса и характер взаимодействия с ним подвижных
ионов должны обеспечивать последним достаточно свободное движение.
2.7. Природа высокой подвижности ионов в СИП
Что касается структуры каркаса, то с этим всё кажется понятно – должна
существовать связная сеть каналов, но вот как определить, что может являться каналом
лёгкой диффузии, а что нет? Давайте посмотрим.
Сразу ясно, что при анализе диффузионной подвижности ионов следует
рассматривать только вклады, связанные с их миграцией, так, что ∆G в (9.1), будет
равна
свободной энергии миграции. При этом для подсистемы подвижных ионов справедливо:
SdTHG
=∆
(1.2)
Следовательно, для понимания природы лёгкой диффузии следует определить
условия, при которых изменение ∆G при переходе иона из основного состояния в