Процесс собственно кристаллизации вещества можно разделить на этапы: адсорбция
частицы поверхностью, миграция  ее   вдоль поверхности, внедрение  в  кристаллическую
решетку. Интенсивность этого процесса J
кр
, кг/(м
2
Чс), обычно описывается уравнением
химической реакции первой степени
(11.25)
где К
p
 - константа скорости реакции, м/с; С
0
 - растворимость вещества, кг/м
3
.
В стационарном режиме J
д
 = J
кр
 = J. При этом условии из (11.24) и (11.25) исключаем
величину С
i
, в результате получаем формулу для расчета скорости роста кристалла 
(11.26)
где К
кр
 - коэффициент скорости кристаллизации, м/с,
(11.27)
При больших пересыщениях (С>>С
0
) скорость собственно кристаллизации высока и
лимитирующей   стадией   становится   диффузия   вещества   к   поверхности   кристалла.
Доставка   вещества   к   кристаллу   ограничивает   скорость   его   роста   и   при   высоких
температурах, так  как  с  ростом температуры  К
p
  увеличивается  (для   водных растворов
солей и некоторых веществ органического происхождения диффузия контролирует рост
кристаллов при температуре выше 45-50°С).
С уменьшением пересыщения возрастает роль процесса собственно кристаллизации.
Внутритрубные отложения различаются своей структурой и химическим составом.
Структура   отложений   и   их   количество   зависят   от   определяющих   при   данных
условиях   процессов   (механизмов)   доставки   примеси,   осаждения   и   закрепления   ее   на
поверхности трубы.
В   общем   случае   отложения   примесей   разделяются   на   два   слоя:   верхний   слой
(наружный,эпитаксический)   -   рыхлый,   слабо   сцепленный   с   нижним   слоем,   легко
снимается   при   механическом   воздействии;   состоит   из   хаотично   расположенных
кристаллов размером 1-6 мкм и из конгломератов округлых частиц размером в десятые
доли   микрона;   поры   пронизывают   весь   слой   в   разных   направлениях;   нижний   слой
(внутренний,   топотактический)   прочно   сцеплен   с   поверхностью   металла,   состоит   из
сросшихся кристаллов размером 1-2 мкм, плотный с малым количеством пор.
Соотношение   удельных   количеств   отложений   в   наружном   gн   и   внутреннем   gвн
слоях   зависит   от   их   общего   количества   g   (рис.   11.19).   Линейный   характер   этой
зависимости говорит о том, что продолжительность формирования отложений не влияет
на закономерность распределения примеси между слоями.